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탄소계 물질 및 실리콘계 물질을 포함하는 전고체 전지용 음극 활물질 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022015727
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소계 물질 및 실리콘계 물질을 포함하는 전고체 전지용 음극 활물질 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 상기 탄소계 물질은 탄소계 입자; 및 상기 탄소계 입자 표면에 위치하고, 비정질 탄소를 포함하는 코팅층;을 포함하고, 상기 실리콘계 물질은 SiNx (0003c#x003c#2)로 표현되는 화합물을 포함한다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/58 (2015.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) H01M 10/0562 (2010.01.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/364(2013.01) H01M 4/58(2013.01) H01M 4/587(2013.01) H01M 4/625(2013.01) H01M 10/052(2013.01) H01M 10/0562(2013.01) H01M 2300/0068(2013.01)
출원번호/일자 1020200158559 (2020.11.24)
출원인 현대자동차주식회사, 기아 주식회사, 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0071442 (2022.05.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 기아 주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
3 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노성우 서울특별시 구
2 성주영 경기도 수원시 영통구
3 김용구 경기도 수원시 장안구
4 송인우 경기도 과천시 별양로 ***
5 민홍석 경기도 용인시 수지구
6 윤용섭 서울특별시 강서구
7 김윤성 서울특별시 강동구
8 장용준 경기도 성남시 분당구
9 이상헌 경기도 용인시 수지구
10 하아름 울산광역시 남구
11 조재필 울산광역시 울주군
12 안기홍 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-1261914-11
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.04.01 수리 (Accepted) 4-1-2021-5100876-85
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번호 청구항
1 1
탄소계 물질 및 실리콘계 물질을 포함하고,상기 탄소계 물질은 탄소계 입자; 및 상기 탄소계 입자 표면에 위치하고, 비정질 탄소를 포함하는 코팅층;을 포함하는 것인 전고체 전지용 음극 활물질
2 2
제1항에 있어서,상기 탄소계 입자는 인조흑연, 천연흑연 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 전고체 전지용 음극 활물질
3 3
제1항에 있어서,상기 탄소계 입자의 평균 입경(D50)은 10㎛ 이하인 전고체 전지용 음극 활물질
4 4
제1항에 있어서,상기 코팅층의 두께는 15㎚ 내지 20㎚인 전고체 전지용 음극 활물질
5 5
제1항에 있어서,상기 탄소계 물질은 상기 탄소계 입자 90중량% 내지 95중량%; 및 상기 코팅층 5중량% 내지 10중량%를 포함하는 것인 전고체 전지용 음극 활물질
6 6
제1항에 있어서,상기 실리콘계 물질은 SiNx (0003c#x003c#2)로 표현되는 화합물을 포함하는 전고체 전지용 음극 활물질
7 7
제1항에 있어서,상기 실리콘계 물질의 평균 입경(D50)은 200㎚ 내지 300㎚인 전고체 전지용 음극 활물질
8 8
제1항에 있어서,상기 실리콘계 물질은 비정질인 것인 전고체 전지용 음극 활물질
9 9
제1항에 있어서,상기 탄소계 물질 80중량% 내지 95중량%; 및 상기 실리콘계 물질 5중량% 내지 20중량%를 포함하는 전고체 전지용 음극 활물질
10 10
제1항에 따른 음극 활물질; 및 고체전해질을 포함하고,상기 실리콘계 물질이 서로 인접한 2 이상의 탄소계 물질 사이에 위치하며,상기 실리콘계 물질과 탄소계 물질 간의 공간에 상기 고체전해질이 충진되어 있는 것인 전고체 전지용 음극
11 11
탄소계 입자 표면에 탄화수소 가스를 원료로 하여 열화학 기상증착법(Thermal CVD)을 통해 비정질 탄소를 포함하는 코팅층을 형성하여 탄소계 물질을 제조하는 단계;실란 가스 및 암모니아 가스를 원료로 하여 열화학 기상증착법을 통해 실리콘계 물질을 제조하는 단계; 및상기 탄소계 물질과 실리콘계 물질을 혼합하는 단계;를 포함하는 전고체 전지용 음극 활물질의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 탄소계 입자는 인조흑연, 천연흑연 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하고, 평균 입경(D50)이 10㎛ 이하인 것인 전고체 전지용 음극 활물질의 제조방법
13 13
제11항에 있어서,상기 탄화수소 가스는 아세틸렌(Acetylene)을 포함하는 것인 전고체 전지용 음극 활물질의 제조방법
14 14
제11항에 있어서,상기 코팅층의 두께는 15㎚ 내지 20㎚인 전고체 전지용 음극 활물질의 제조방법
15 15
제11항에 있어서,상기 탄소계 물질은 상기 탄소계 입자 90중량% 내지 95중량%; 및 상기 코팅층 5중량% 내지 10중량%를 포함하는 것인 전고체 전지용 음극 활물질의 제조방법
16 16
제11항에 있어서,상기 실란 가스 및 암모니아 가스를 포함하는 원료는 질소 원소(N)의 함량이 6at% 내지 10at%인 것인 전고체 전지용 음극 활물질의 제조방법
17 17
제11항에 있어서,상기 실리콘계 물질은 상기 실란 가스 및 암모니아 가스를 원료로 하여 600℃ 내지 800℃의 온도에서 5시간 내지 7시간 동안 합성하는 것인 전고체 전지용 음극 활물질의 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 합성 종료 후, 상기 실리콘계 물질을 질소 분위기에서 800℃ 내지 1,000℃의 온도에서 1시간 내지 3시간 동안 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인 전고체 전지용 음극 활물질의 제조방법
19 19
제11항에 있어서,상기 실리콘계 물질은 SiNx (0003c#x003c#2)로 표현되는 화합물을 포함하고, 평균 입경(D50)이 200㎚ 내지 300㎚인 전고체 전지용 음극 활물질의 제조방법
20 20
제11항에 있어서,상기 실리콘계 물질은 비정질인 것인 전고체 전지용 음극 활물질의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.