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기재를 준비하는 단계;상기 기재 상에 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크가 형성된 기재를 에칭하는 단계;상기 에칭하는 단계를 거친 기재 상에 금속을 증착하여 집전체를 형성하는 단계;상기 마스크를 제거하는 단계;상기 집전체 상에 전극을 형성하는 단계;상기 전극 상에 전해질을 형성하는 단계; 및상기 전해질 상에 패키징을 형성하는 단계;를 포함하는,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기재는, 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 파릴렌으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기재를 준비하는 단계는, 스핀 코팅을 통해 형성되는 기재인 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 에칭하는 단계는, 이온빔 소스를 이용하여 수행되는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 집전체는, 금, 은, 티타늄, 알루미늄 및 구리로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마스크를 제거하는 단계 이후에,상기 집전체 상에 제2 금속을 증착하는 단계;를 더 포함하는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제2 금속은, 니켈, 알루미늄 및 구리로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전극은, 활성탄, 그래핀 및 멕신으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전해질은, 티올 및 탄소 이중결합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 작용기를 가지는 물질을 포함하는 것이고,상기 전해질을 형성하는 단계는, 겔 형태의 고분자를 도포하여 수행되는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 패키징은, 폴리디메틸실록산, 폴리메틸메타아크릴레이트 및 폴리우레탄을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마스크를 형성하는 단계, 전극을 형성하는 단계, 전해질을 형성하는 단계 및 패키징을 형성하는 단계 중 적어도 하나의 단계는, 사출 프린팅을 통해 수행되는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전해질 상에 패키징을 형성하는 단계 이후에,상기 패키징 상에 소수성 필름층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것이고,상기 소수성 필름층은, 파릴렌 C, 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터의 제조방법
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기재;상기 기재 상에 형성된 집전체;상기 집전체 상에 형성된 전극;상기 전극 상에 형성된 전해질; 및상기 전해질 상에 형성된 패키징;을 포함하고,제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 슈퍼커패시터의 제조방법에 따라 제조된,다형상 유연 슈퍼커패시터
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제13항에 있어서,상기 슈퍼커패시터는, 상기 집전체 및 상기 전극의 계면에 중립면이 형성되는 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터
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제13항에 있어서,상기 기재의 두께는, 2 ㎛ 내지 5 ㎛인 것이고,상기 집전체의 두께는, 5 ㎚ 내지 20 ㎚인 것이고,상기 기재 및 집전체의 두께비는, 150 : 1 내지 500 : 1인 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터
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제13항에 있어서,상기 전해질의 두께는, 10 ㎛ 내지 30 ㎛인 것이고,상기 패키징의 두께는, 30 ㎛ 내지 70 ㎚인 것인,다형상 유연 슈퍼커패시터
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