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다음의 단계를 포함하는 기체-액체 하이브리드 상압 플라즈마를 이용한 반도체 기판의 세정 방법: (a) 기체-액체 하이브리드 상압 플라즈마 반응기 내부에 약한산 수용액을 채우는 단계; (b) 상기 약한산 수용액이 채워진 플라즈마 반응기 내부에 세정하고자 하는 반도체 기판을 위치시키는 단계; 및 (c) 상기 플라즈마 반응기에 기체를 유입시켜 플라즈마를 발생시키는 단계
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제 1 항에 있어서, 상기 약한산은 산해리상수(K)가 1 x 10-3 이하인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 약한산은 유기산(organic acid)인 것을 특징으로 하는 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 유기산은 아세트산(acetic acid), 구연산(citric acid), 젖산(lactic acid), 옥살산(oxalic acid), 숙신산(succinic acid), 옥살아세트산(oxalacetic acid), 푸마르산(fumaric acid), 말산(malic acid), 부티르산(butyric acid), 팔미트산(palmitic acid), 타르타르산(tartar acid), 글루타르산(glutaric acid), 포름산(formic acid), 알파-케토글루타르산(α-ketoglutaric acid), 말론산(malonic acid), 및 아디프산(adipic acid)으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 약한산 수용액에서 약한산의 농도는 10-6 - 1
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 (c)에서 플라즈마 생성에 사용되는 기체는 아르곤(Ar)가스, 헬륨(He)가스 및 질소(N2)가스로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 기체인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 세정하고자 하는 반도체 기판상의 오염물은 금속 오염물, 유기 오염물, 고분자 오염물, 또는 입자(particle) 형태의 오염물인 것을 특징으로 하는 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 금속 오염물은 Au, Ag, Cu, Cd, Co, 또는 Cr의 금속 오염물인 것을 특징으로 하는 방법
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