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란타넘족 원소가 도핑된 세리아 나노입자; 및수용성 분산 매질을 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서,상기 세리아 나노입자는 10 nm 이하의 평균 입경을 가지는 것인,CMP 슬러리 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 란타넘족 원소는 상기 세리아 및 상기 란타넘 원소의 총 몰수에 대하여 50 몰% 이하로 포함된 것인,CMP 슬러리 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 란타넘족 원소는 La, Nd, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, Y 및 이들의 조합들로 이루어지 군에서 선택되는 란타넘족 원소를 포함하는 것인,CMP 슬러리 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 수용성 분산 매질은 물 및 다중산(polyacid)을 포함하는 것인,CMP 슬러리 조성물
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제 4 항에 있어서,상기 다중산은 슬러리 조성물 100 중량부를 기준으로 0
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제 4 항에 있어서,상기 다중산은 폴리말레산, 폴리아크릴산, 폴리메틸메타크릴산, 폴리(아크릴산-코-메타크릴산), 폴리(말레산-코-아크릴산) 및 폴리(아크릴아미드-코-아크릴산) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 다중산을 포함하는 것인,CMP 슬러리 조성물
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세륨 전구체 및 란타넘족 원소 전구체를 포함하는 수용액을 교반한 후 상기 수용액에 염기성 물질을 첨가하여 혼합 용액을 제조하는 단계;상기 혼합용액을 수열합성하여 란타넘족 원소가 도핑된 세리아 나노입자를 제조하는 단계; 및상기 나노입자를 수용성 분산 매질에 분산시키는 단계;를 포함하는,CMP 슬러리 조성물의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 수열합성은 상기 혼합용액을 100 rpm 이하의 속도로 교반하며 수행되는 것인,CMP 슬러리 조성물의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 염기성 물질의 농도, 상기 수열합성의 반응 온도 또는 반응 시간에 따라 상기 나노입자의 크기가 조절되는 것인,CMP 슬러리 조성물의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 반응 온도는 150℃ 내지 250℃의 온도 범위를 가지는 것인,CMP 슬러리 조성물의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 반응 시간은 24 시간 이내인 것인,CMP 슬러리 조성물의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 분산시키는 단계는 자외선 조사 및/또는 가열에 의해 수행되는 것인,CMP 슬러리 조성물의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 세륨 전구체는 세륨(III)클로라이드(cerium(III) chloride), 세륨(III)나이트레이트 (cerium(III) nitrate), 세륨(III)아세테이트하이드레이트(cerium(III) acetate hydrate), 세륨(III)아세틸아세토네이트하이드레이트(cerium(III) acetylacetonate hydrate), 세륨(III)브로마이드(cerium(III) bromide), 세륨(III)카보네이트하이드레이트(cerium(III) carbonate hydrate), 세륨(III)클로라이드헵타하이드레이트(cerium(III) chloride heptahydrate), 세륨(III)2-에틸헥사노에이트(cerium(III) 2-ethylhexanoate), 세륨(III)플로라이드(cerium(III) fluoride), 세륨(IV)플로라이드(cerium(IV) fluoride), 세륨(IV)하이드록사이드(cerium(IV) hydroxide), 세륨(III)아이오다이드(cerium(III) iodide), 세륨(III)나이트레이트헥사하이드레이트(cerium(III) nitrate hexahydrate), 세륨(III)옥살레이트하이드레이트(cerium(III) oxalate hydrate), 세륨(III)설페이트(cerium(III) sulfate), 세륨(III)설페이트하이드레이트(cerium(III) sulfate hydrate), 그리고 세륨(IV)설페이트(cerium(IV) sulfate) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,CMP 슬러리 조성물의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 란타넘족 원소의 전구체는 La, Nd, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, Y 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 란타넘족 원소를 포함하는 것인,CMP 슬러리 조성물의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 염기성 물질은 NH4OH, KOH, NaOH, LiOH, Ca(OH)2 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,CMP 슬러리 조성물의 제조 방법
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