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제1 촉매슬러리 내지 제n 촉매슬러리(n은 2 이상의 자연수)를 동시에 도포하여 다중 촉매층을 형성하는 단계를 포함하는 막-전극 어셈블리의 제조 방법으로서,상기 제1 촉매슬러리는 제1 농도의 제1 첨가제를 포함하며,상기 제n 촉매슬러리는 제n 농도의 제n 첨가제를 포함하며,상기 제1 첨가제 내지 상기 제n 첨가제는 동일한 라디칼 스캐빈저를 포함하고, 상기 제1 촉매슬러리 내지 상기 제n 촉매슬러리는 동일한 다공성 담체 및 금속 촉매를 포함하며,상기 제n 촉매슬러리는 제n-1 촉매슬러리 상에 도포되며,상기 제n-1 촉매슬러리에 포함된 제n-1 첨가제의 농도는 상기 제n 촉매슬러리에 포함된 제n 첨가제의 농도보다 높은 값을 가지며,상기 다중 촉매층은,상기 제1 촉매슬러리가 토출되는 제1 슬릿 내지 상기 제n 촉매슬러리가 토출되는 제n 슬릿을 포함하는 멀티 슬롯 다이를 이용하여 제조되며,상기 멀티 슬롯 다이는,상기 제n 슬릿과 제n-1 슬릿 사이에 0
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제1항에 있어서,상기 다중 촉매층을 형성하는 단계는,상기 제1 촉매슬러리 내지 제n 촉매슬러리를 이형 필름 상에 동시에 도포하는 것인 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다중 촉매층을 형성하는 단계는,상기 제1 촉매슬러리 내지 제n 촉매슬러리를 고분자 전해질막 상에 동시에 도포하는 것인 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 이형 필름을 박리한 상기 다중 촉매층을 고분자 전해질막에 합지하는 단계를 더 포함하는 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 촉매슬러리 내지 제n 촉매슬러리는 멀티 슬롯 코팅 방법으로 다중 촉매층을 형성하는 것인 막-전극 어셈블리의 제조방법
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막-전극 어셈블리의 제조장치로서,제1 촉매슬러리가 토출되는 제1 슬릿 내지 제n 촉매슬러리(n은 2 이상의 자연수)가 토출되는 제n 슬릿 및 상기 제n 슬릿과 제n-1 슬릿 사이에 위치하는 미드 블럭을 포함하는 멀티 슬롯 다이를 구비한 멀티 슬롯 코팅 장치로서,상기 멀티 슬롯 코팅 장치는 상기 제n 촉매슬러리를 제n-1 촉매슬러리 상에 도포하며,상기 제1 촉매슬러리는 제1 농도의 제1 첨가제를 포함하며,상기 제n 촉매슬러리는 제n 농도의 제n 첨가제를 포함하며,상기 제1 첨가제 내지 상기 제n 첨가제는 동일한 라디칼 스캐빈저를 포함하고, 상기 제1 촉매슬러리 내지 상기 제n 촉매슬러리는 동일한 다공성 담체 및 금속 촉매를 포함하며,상기 제n-1 촉매슬러리에 포함된 제n-1 첨가제의 농도는 상기 제n 촉매슬러리에 포함된 제n 첨가제의 농도보다 높은 값을 가지며,상기 미드 블록은 0
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제1항의 제조방법으로 제조된 막-전극 어셈블리로서,제1 다중 촉매층을 구비한 애노드; 제2 다중 촉매층을 구비한 캐소드 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 고분자 전해질막을 포함하는 막-전극 어셈블리
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제11항에 있어서,상기 제1 다중 촉매층과 상기 제2 다중 촉매층은 멀티 슬롯 코팅 방법으로 제조된 막-전극 어셈블리
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