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대상체에 적외선 펄스광을 조사하는 적외선 펄스 생성기;대상체를 투과한 적외선 펄스광을 수신하여 광전류를 생성하는 광전 소자; 및상기 광전류 중 상기 적외선 펄스광의 선행 에지에 대응되는 제1 피크 전류 또는 후행 에지에 대응되는 제2 피크 전류 중 하나의 크기를 측정하여 상기 대상체를 분석하는 감지 소자;를 포함하는,광전 소자를 구비하는 바이오 센싱 장치
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제1항에 있어서,상기 적외선 펄스광의 펄스 주기는 1 ms 내지 0
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제1항에 있어서,상기 광전 소자는,p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 PN 접합을 형성하고 상기 적외선 펄스광이 입사되는 n형 반도체층; 및상기 n형 반도체층의 표면에 형성된 투명 집전체;를 포함하는 것을 특징으로 하는,광전 소자를 구비하는 바이오 센싱 장치
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제3항에 있어서,상기 광전 소자는 상기 PN 접합에 의해 생성되는 셀프 바이어스(Self-bias)에 의해 상기 광전류를 생성하는 것을 특징으로 하는,광전 소자를 구비하는 바이오 센싱 장치
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제3항에 있어서,상기 p형 반도체층은 p형 실리콘(p-Si)를 포함하고,상기 n형 반도체층은 이산화 티타늄(TiO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는,광전 소자를 구비하는 바이오 센싱 장치
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제3항에 있어서,상기 투명 집전체는 은 나노 와이어, IGZO(Indium Galium Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SIZO(Silicon Indium Zinc Oxide), HIZO(Hafnium Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZnO, Ga2O3, In2O3 및 SnO2 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,광전 소자를 구비하는 바이오 센싱 장치
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제3항에 있어서,상기 감지 소자는 p형 반도체층과 n형 반도체층의 사이에 전기적으로 연결 형성된 것을 특징으로 하는,광전 소자를 구비하는 바이오 센싱 장치
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제1항에 있어서,상기 감지 소자에서 측정된 피크 전류의 크기 변화에 기초한 상기 대상체에 대한 맵핑 이미지를 생성하는 이미지 생성부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 소자를 구비하는 바이오 센싱 장치
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p형 반도체층이 형성된 기판 상에 스퍼터링 공정을 통해 티타늄 박막을 증착시키는 단계; 상기 티타늄 박막을 산화시켜 이산화 티타늄(TiO2) 박막을 형성하는 단계; 및상기 이산화 티타늄(TiO2) 박막의 표면에 투명 집전체를 형성하는 단계;를 포함하는,광전 소자 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 이산화 티타늄(TiO2) 박막은 10 내지 100 nm 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는,광전 소자 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 p형 반도체층은 p형 실리콘(p-Si)을 포함하는 것을 특징으로 하는,광전 소자 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 투명 집전체는 은 나노 와이어, IGZO(Indium Galium Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SIZO(Silicon Indium Zinc Oxide), HIZO(Hafnium Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZnO, Ga2O3, In2O3 및 SnO2 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,광전 소자 제조 방법
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