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투명 광전기화학 장치로써,기판층;상기 기판층 위에 배열되는, 제1투명전극층;상기 제1투명전극층 위에 배열되고, TiO2를 포함하는 제1산화물반도체층;상기 제1산화물반도체층 위에 배열되고, NiO를 포함하는 제2산화물반도체층; 및상기 제2산화물반도체층 위에 배열되고, Co를 포함하는 금속층; 을 포함하는 작업전극;카운터전극; 및기준전극을 포함하는, 투명 광전기화학 장치
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청구항 1에 있어서,상기 작업전극은 가시광선에 대한 투과도가 40%이상인, 투명 광전기화학 장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1산화물반도체층은 루타일 TiO2를 포함하는, 투명 광전기화학 장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1산화물반도체층은 아나타제 TiO2를 포함하는, 투명 광전기화학 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 제2산화물반도체층은 Ni를 Ar/O2이 분사된 곳에서 스퍼터링하여 형성되는, 투명 광전기화학 장치
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청구항 1에 있어서,상기 금속층은 Co를 타겟으로 하고, , 1 내지 100 mTorr의 압력에서, 스퍼터링을 수행하여 형성되는, 투명 광전기화학 장치
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청구항 1에 있어서,상기 투명 광전기화학 장치에서는,상기 작업전극은 복수로 적층되어 있고, 상기 복수의 작업전극은 동일한 상기 카운터전극 및 상기 기준전극에 전기적으로 접속되어 있는, 투명 광전기화학 장치
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청구항 1에 있어서,상기 기준전극은 작업전극에 병렬로 배열되고, Ag/AgCl을 포함하고,상기 카운터전극은 상기 작업전극에 병렬로 배열되고, Pt를 포함하는, 투명 광전기화학 장치
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투명 광전기화학 장치를 제조하는 방법으로서,기판층을 준비하는 단계;상기 기판층 위에 제1투명전극층을 형성하는 단계;상기 제1투명전극층 위에 TiO2를 포함하는 제1산화물반도체층을 형성하는 단계;상기 제1산화물반도체층 위에, NiO를 포함하는 제2산화물반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제2산화물반도체층 위에, Co를 포함하는 금속층; 을 형성하는 단계를 포함하는 작업전극을 제조하는 단계;상기 작업전극에 카운터전극을 연결하는 단계; 및상기 작업전극에 기준전극을 연결하는 단계를 포함하는, 투명 광전기화학 장치의 제조방법
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