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투명 자가동력 광검출장치로서,기판층;상기 기판층 위에 배치되는, 투명전극층;상기 투명전극층 위에 배치되는 제1 산화물반도체층;상기 제1 산화물반도체층 위에 배치되는 제2 산화물반도체층;상기 제2 산화물반도체층 위에 배치되는 금속층; 을 포함하고,상기 제1 산화물반도체층은 n형으로서 p/n 이종접합 구조를 형성하는 TiO2를 포함하고, 상기 제2 산화물반도체층은 p형으로서 p/n 이종접합 구조를 형성하는 NiO를 포함하는, 투명 자가동력 광검출장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1 산화물반도체층은 루타일 TiO2를 포함하는, 투명 자가동력 광검출장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1 산화물반도체층은,Ar 분위기에서 압력을 가해서 Ti를 타겟으로 하여 스퍼터링을 수행하는 스퍼터링단계; 스퍼터링을 통해 형성된 층에 산화반응이 일어나도록 가열하는 산화반응단계; 및스퍼터링을 통해 형성되고 산화반응이 일어난 층에 어닐링을 수행하는 어닐링단계; 에 의하여 형성되는, 투명 자가동력 광검출장치
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청구항 3에 있어서,상기 스퍼터링단계는 1 내지 100 mTorr의 압력 및 1 내지 100 sccm의 Ar 분위기에서, Ti를 타겟으로 하여 스퍼터링을 수행하는, 투명 자가동력 광검출장치
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청구항 3에 있어서,상기 산화반응단계는 300 내지 800°C의 온도에서 5 내지 1시간 동안 수행되는, 투명 자가동력 광검출장치
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청구항 3에 있어서,상기 어닐링단계는 Ar 분위기에서, 300 내지 900°C의 온도에서 5 내지 25분 동안 수행되는, 투명 자가동력 광검출장치
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청구항 1에 있어서,상기 제2 산화물반도체층은 Ar/O2 분위기에서 압력을 가해서 Ni을 타겟으로 하여 스퍼터링을 수행하는 스퍼터링단계; 에 의하여 형성되는, 투명 자가동력 광검출장치
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청구항 7에 있어서,상기 스퍼터링단계는 1 내지 5 mTorr의 압력 및 10/3 내지 30/7 sccm의 Ar/O2 분위기에서, Ni를 타겟으로 하여 스퍼터링을 수행하는, 투명 자가동력 광검출장치
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청구항 1에 있어서,상기 금속층은 Ag를 포함하는, 투명 자가동력 광검출장치
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투명 자가동력 광검출장치로서의 제조방법으로서,기판층; 을 준비하는 단계;상기 기판층 위에 투명전극층; 을 배치하는 단계;상기 투명전극층 위에 제1 산화물반도체층; 를 배치하는 단계;상기 제1 산화물반도체층 위에 제2 산화물반도체층; 를 배치하는 단계; 및상기 제2 산화물반도체층 위에 금속층; 를 배치하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 산화물반도체층은 n형으로서 p/n 이종접합 구조를 형성하는 TiO2를 포함하고, 상기 제2 산화물반도체층은 p형으로서 p/n 이종접합 구조를 형성하는 NiO를 포함하는, 투명 자가동력 광검출장치의 제조방법
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