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광전기화학반응에 의하여 수소를 생성하는 광음극구조층으로서,기판층;상기 기판층위에 배치되고, 1 이상의 금속을 포함하는 금속층; 상기 금속층 위에 배치되고, p형 Si를 포함하는 실리콘층; 및상기 실리콘층 위에 배치되고, WS2나노플레이트렛을 포함하는 WS2층; 을 포함하고,상기 WS2나노플레이트렛은 수직 배향된 2H-WS2나노플레이트렛을 포함하는, 광음극구조층
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청구항 1에 있어서,상기 금속층은 Ni층과 Al층을 포함하고, 상기 Ni층의 두께는 1 내지 500 nm 이고, Al층의 두께는 1 내지 500 nm 인, 광음극구조층
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청구항 1에 있어서, 상기 WS2층은,RF 마그네트론 스퍼터링 공정에 의하여 형성되고, 상기 스퍼터링 공정은 1 내지 1000 sccm의 Ar 분위기, 1 내지 100 mTorr의 압력 및 100 내지 900℃의 온도에서 WS2를 타겟으로 하여 스퍼터링을 수행하는, 광음극구조층
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청구항 3에 있어서, 상기 WS2층은 상기 스퍼터링 공정이 수행된 후에, 80 내지 120℃의 온도로 냉각이 되는, 광음극구조층
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청구항 1에 있어서,상기 WS2층은 두께가 1 내지 1000 nm인, 광음극구조층
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청구항 1에 있어서,상기 WS2나노플레이트렛은 층간간격이 0
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청구항 6에 있어서,상기 WS2나노플레이트렛은 두께는 1 내지 30 nm이고, 스퍼터링에 의한 형성속도는 1 내지 100 nm min-1인, 광음극구조층
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광전기화학반응에 의하여 수소를 생성하는 광음극구조층의 제조방법으로서,기판층을 준비하는 단계;상기 기판층 위에, 1 이상의 금속을 포함하는 금속층을 배치하는 단계; 상기 금속층 위에, p형 Si를 포함하는 실리콘층을 배치하는 단계; 및 상기 실리콘층 위에, WS2나노플레이트렛을 포함하는 WS2층을 배치하는 단계; 를 포함하고,상기 WS2나노플레이트렛은 수직 배향된 2H-WS2나노플레이트렛을 포함하는, 광음극구조층의 제조방법
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