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유연 기판;상기 유연 기판 상에 형성되고, 입사광과 반응하여 전기적 특성이 변화하며 유연성을 가지는 제1 2차원 반도체 물질을 포함하는 광 반응층을 포함하는 광 검출부; 및상기 유연 기판 상에 형성되고, 상기 광 검출부와 전기적으로 연결되며, 상기 입사광과 반응에 의해 상기 광 검출부에서 발생하는 광 검출 신호를 증폭시켜 출력하는 박막 트랜지스터를 포함하고,상기 박막 트랜지스터는:상기 유연 기판 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 유연 기판 상에 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성되고, 유연성을 가지는 제2 2차원 반도체 물질을 포함하는 채널층을 포함하는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제1항에 있어서,상기 제1 2차원 반도체 물질은 제1 전이금속 칼코게나이드 물질을 포함하는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제2항에 있어서,상기 제1 전이금속 칼코게나이드 물질은 이황화몰리브덴, 이셀레늄화텅스텐, 또는 몰리브덴 디텔루라이드를 포함하는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제1항에 있어서,상기 제2 2차원 반도체 물질은 제2 전이금속 칼코게나이드 물질을 포함하는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제4항에 있어서,상기 제2 전이금속 칼코게나이드 물질은 이황화몰리브덴, 이셀레늄화텅스텐, 또는 몰리브덴 디텔루라이드를 포함하는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제1항에 있어서,상기 유연 기판 상에 형성되고, 상기 광 검출부 및 상기 박막 트랜지스터를 덮는 절연층; 및상기 절연층 상에 형성되고, 입사되는 방사선의 파장을 변환하여 상기 광 검출부로 전달하며, 유연성을 가지는 신틸레이터 물질을 포함하는 파장 변환층을 더 포함하는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제6항에 있어서,상기 신틸레이터 물질은 가돌리늄 옥시설파이드, 요오드화 세슘, 또는 요오드화 나트륨을 포함하는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제1항에 있어서,상기 광 검출부는 2차원 반금속 물질을 포함하는 인터디짓 구조 전극을 더 포함하고,상기 광 반응층의 상기 제1 2차원 반도체 물질은 상기 인터디짓 구조 전극을 덮도록 형성되는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제8항에 있어서,상기 인터디짓 구조 전극은 상기 드레인 전극 또는 상기 소스 전극과 전기적으로 연결되는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제8항에 있어서,상기 2차원 반금속 물질은 그래핀을 포함하는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제8항에 있어서,상기 인터디짓 구조 전극은: 상기 유연 기판 상에 형성되고, 전극 배선 라인에 전기적으로 연결되며, 제1 방향으로 연장되는 제1 전극 라인;상기 유연 기판 상에 형성되고, 상기 제1 전극 라인에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장되며, 소정 간격으로 배열되는 다수의 제1 인터디짓 전극;상기 유연 기판 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 전극 라인과 이격되어 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 전극 라인; 및상기 유연 기판 상에 형성되고, 상기 제2 전극 라인에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 다수의 제1 인터디짓 전극의 사이에 배열되는 다수의 제2 인터디짓 전극을 포함하는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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제11항에 있어서,상기 다수의 제1 인터디짓 전극 및 상기 다수의 제2 인터디짓 전극은 그래핀으로 이루어지고, 상기 광 반응층의 상기 제1 2차원 반도체 물질은 상기 다수의 제1 인터디짓 전극 및 상기 다수의 제2 인터디짓 전극을 덮도록 구성되고, 상기 제1 2차원 반도체 물질은 이황화 몰리브덴, 이셀레늄화텅스텐, 또는 몰리브덴 디텔루라이드를 포함하는, 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기
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