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게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치된 게이트 절연층;상기 게이트 전극과 중첩하도록 상기 게이트 절연층 상에 배치되고, 산화물 반도체 물질을 포함하는 액티브층;상기 액티브층과 접촉하고 상기 액티브층을 노출하도록 배치된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 액티브층 상에 배치된 자기 조립 단분자층(self-assembeld monolayer); 및상기 자기 조립 단분자층 상에 배치되고, 외부광을 흡수하여 광 전자를 발생시키는 광활성층을 포함하는, 광 센서
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제1항에 있어서,상기 액티브층은 상기 광활성층으로부터 상기 자기 조립 단분자층을 통해 전달된 상기 광 전자에 의해 광 전류가 유도되는, 광 센서
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제1항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층은 복수의 알킬 체인(alkyl chain)을 가지는, 광 센서
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제1항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층의 단분자는 상기 액티브층 표면의 -OH 작용기 및 인접한 단분자와 결합하여 Si-O-Si 결합을 형성하는, 광 센서
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제1항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층은 단분자 물질이 결합하여 형성된 알킬실록산(alkylsiloxane)을 포함하는, 광 센서
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제1항에 있어서,상기 광활성층은 양자점(Quantum dot), 유기분자 반도체(organic molecule semiconductor) 및 페로브스카이트(perovskite) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 광 센서
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 전극과 중첩하도록 상기 게이트 절연층 상에 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층과 접촉하고 상기 액티브층을 노출하도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 액티브층 상에 자기 조립 단분자층을 형성하는 단계; 및상기 자기 조립 단분자층 상에 외부광을 흡수하여 광 전자를 발생시키는 광활성층을 형성하는 단계를 포함하는, 광 센서 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층을 형성하는 단계는 상기 기판을 단분자 물질이 함유된 용액에 침지하는 단계를 포함하는, 광 센서 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층을 형성하는 단계는 상기 침지하는 단계 이후에 상기 액티브층과 상기 단분자 물질의 결합력 향상을 위해 베이킹 하는 단계를 더 포함하는, 광 센서 제조 방법
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외부 광에 의해 광 전류가 유도되는 광 센서; 및영상을 표시하고, 상기 광 센서에 의해 휘도가 보상되는 표시 패널을 포함하고,상기 광 센서는,외부광을 흡수하여 광 전자를 발생시키는 광활성층;상기 광활성층으로부터 광 전자를 전달받아 광 전류가 유도되는 박막 트랜지스터; 및상기 광활성층 및 상기 박막 트랜지스터 사이에 배치되고, 상기 광활성층으로부터 상기 박막 트랜지스터로 광 전자를 전달시킬 수 있도록 구성되는 자기 조립 단분자층을 포함하는, 표시 장치
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제10항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층은 복수의 알킬 체인(alkyl chain)을 가지는, 표시 장치
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제10항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는,게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치된 게이트 절연층;상기 게이트 전극과 중첩하도록 상기 게이트 절연층 상에 배치된 액티브층; 및상기 액티브층과 접촉하고 상기 액티브층을 노출하도록 구성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 자기 조립 단분자층은 상기 액티브층 상에 배치되고,상기 액티브층은 상기 광활성층으로부터 상기 자기 조립 단분자층을 통해 전달된 상기 광 전자에 의해 광 전류가 유도되는, 표시 장치
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제10항에 있어서,상기 표시 패널은 복수의 서브 화소를 포함하고,상기 광 센서는 상기 복수의 서브 화소에 각각 배치되고,상기 광활성층은 양자점을 포함하고,상기 광활성층은 상기 광 센서가 배치된 서브 화소에서 발광되는 광의 파장에 대응하는 반지름을 갖는 양자점을 포함하는, 표시 장치
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