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세라믹 기재층;상기 세라믹 기재층의 일면에 적층된 접착층; 및상기 세라믹 기재층이 적층된 면의 반대면인 상기 접착층의 일면에 적층된 발열층;을 포함하며,상기 접착층은 ZnO, PbO, Al2O3, SiO2 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나가 포함된 제1 유리 프릿을 포함하는 제1 혼합물의 소결체인 반도체 히터 소자
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청구항 1에 있어서,상기 세라믹 기재층의 재질은 Si3N4인 것인 반도체 히터 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 혼합물은 Si3N4 분말을 더 포함하는 것인 반도체 히터 소자
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청구항 3에 있어서,상기 제1 혼합물에 포함된 상기 제1 유리 프릿의 함량은 상기 Si3N4 분말 100 중량부에 대하여 20 중량부 이상 80 중량부 이하인 것인 반도체 히터 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 유리 프릿은 ZnO, PbO, Al2O3 및 SiO2을 포함하는 것인 반도체 히터 소자
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청구항 5에 있어서,상기 ZnO의 함량은 5 wt% 이상 15 wt% 이하이며,상기 PbO의 함량은 37 wt% 이상 47 wt% 이하이며,상기 Al2O3의 함량은 5 wt% 이상 15 wt% 이하이며,상기 SiO2의 함량은 33 wt% 이상 44 wt% 이하인 것인 반도체 히터 소자
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청구항 1에 있어서,상기 발열층은 ZnO, PbO, B2O3, SiO2 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나가 포함된 제2 유리 프릿;과 RuO2 분말;을 포함하는 제2 혼합물의 소결체를 포함하는 것인 반도체 히터 소자
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청구항 7에 있어서,상기 RuO2 분말의 함량은 상기 제2 유리 프릿 100 중량부에 대하여 20 중량부 이상 40 중량부 이하인 것인 반도체 히터 소자
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청구항 7에 있어서,상기 제2 유리 프릿은 ZnO, PbO, B2O3 및 SiO2를 포함하는 것인 반도체 히터 소자
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