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2단계 양극산화 공정을 통한 금속 표면의 젖음성 개질 방법

  • 기술번호 : KST2022016321
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2단계 양극산화 공정을 통하여 금속 표면을 친수성 또는 소수성으로 개질하는 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 금속 기판을 양극으로 하고, 전해액에 침지한 후 전압을 인가하여 산화 피막을 형성하는 제1양극산화 단계; 상기 산화 피막을 제거하는 단계; 금속 기판을 양극으로 하고, 전해액에 침지한 후 전압을 인가하여 산화 피막을 형성하는 제2양극산화 단계를 포함하는 금속 표면의 젖음성 개질 방법에 관한 것이다. 본 발명의 젖음성 개질 방법은 일반적인 양극산화 조건을 2회 수행하여 다공질 구조의 규칙성을 개선하며, 특히 소정의 조건을 적용하여 다공성 구조(porous structure)를 다발성 구조(bundle structure)로 전이하여 친수성을 크게 개선할 수 있는 효과를 나타낸다.
Int. CL C25D 11/12 (2006.01.01) C25D 11/06 (2006.01.01) C25D 11/30 (2006.01.01) C25D 11/26 (2006.01.01)
CPC C25D 11/12(2013.01) C25D 11/06(2013.01) C25D 11/30(2013.01) C25D 11/26(2013.01)
출원번호/일자 1020210091191 (2021.07.12)
출원인 한국공학대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0113236 (2022.08.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210016472   |   2021.02.05
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.07.12)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국공학대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김욱배 경기도 수원시 영통구
2 김영윤 경기도 오산시 운암로 **
3 김진규 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지원 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, ***호, ***호

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2021-0802971-15
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2022-5061205-55
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2022-5086939-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0476732-87
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번호 청구항
1 1
금속 기판을 양극으로 하고, 전해액에 침지한 후 전압을 인가하여 산화 피막을 형성하는 제1양극산화 단계;상기 산화 피막을 제거하는 단계;상기 금속 기판을 양극으로 하고, 전해액에 침지한 후 전압을 인가하여 산화 피막을 형성하는 제2양극산화 단계를 포함하는 금속 표면의 젖음성 개질 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제2양극산화 단계 이후에, 금속 기판을 에칭 용액에 침지하는 단계를 더 포함하는 금속 표면의 젖음성 개질 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 금속 표면의 젖음성 개질 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 전해액은 황산(sulfuric acid, H2SO4), 인산(phosphoric acid, H3PO4), 옥살산(oxalic acid, C2H2O4), 크롬산(chromic acid), 불산(hydrofluoric acid), 인산수소칼륨(dipotassium phosphate, K2HPO4)중에 어느 하나를 사용하거나 이들의 혼합액 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 표면의 젖음성 개질 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제1양극산화 단계에서 온도는 0 ~ 30℃, 전압은 15V ~ 25V, 반응시간은 10분 ~ 1시간인 금속 표면의 젖음성 개질 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제2양극산화 단계에서 온도는 0 ~ 30℃, 전압은 15V ~ 25V, 반응시간은 10분 ~ 1시간인 금속 표면의 젖음성 개질 방법
7 7
제1항에 있어서,제2양극산화 금속 표면은 제1양극산화 금속 표면에 비하여 기공의 크기, 기공율 또는 친수성이 증가하는 금속 표면의 젖음성 개질 방법
8 8
제1항에 있어서,제2양극산화 단계 후 에칭 용액에 침지하는 단계를 통하여 상기 금속 표면은 다발 구조(bundle structure)를 형성하는 금속 표면의 젖음성 개질 방법
9 9
제2항에 있어서,상기 에칭 용액은 유기산 또는 무기산일 수 있으며, 상기 유기산은 초산(Acetic acid), 글리콜산(Glycolic acid), 구연산(Citric acid), 글루콘산(Gluconic acid), 요산(Uric acid), 설폰산(Sulfonic acid), 붕산(Boric acid), 시트르산(Citric acid) 및 젖산(Lactic acid)의 군에서 선택되는 어느 하나 이상이고, 상기 무기산은 크롬산, 황산, 질산, 염산 및 인산 군에서 선택되는 어느 하나 이상일 수 있는 금속 표면의 젖음성 개질 방법
10 10
제8항에 있어서,상기 다발 구조를 형성하기 위한 제2양극산화 단계의 온도는 23 ~ 30℃이고, 전압은 22V ~ 25V인 금속 표면의 젖음성 개질 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 제2양극산화 단계에서, 전압이 증가할수록 금속 표면의 물방울 접촉각은 감소하는 금속 표면의 젖음성 개질 방법
12 12
제8항에 있어서,상기 금속 표면의 물방울 접촉각은 0° ~ 5°인 금속 표면의 젖음성 개질 방법
13 13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 표면이 친수성으로 개질된 금속
14 14
금속 기판을 양극으로 하고, 전해액에 침지한 후 전압을 인가하여 산화 피막을 형성하는 제1양극산화 단계;상기 산화 피막을 제거하는 단계;상기 금속 기판을 양극으로 하고, 전해액에 침지한 후 전압을 인가하여 산화 피막을 형성하는 제2양극산화 단계;양극산화의 종료 후, 상기 금속 기판을 에칭 용액에 침지하는 단계;및상기 침지 단계 이후에, 금속 기판 표면 상에 불소계 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 금속 표면의 젖음성 개질 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 불소계 수지층은 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오르에틸렌-헥사플루오르프로필렌 공중합체(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 코폴리머 수지(ETFE), 테트라플루오로에틸렌- 클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(TFE/CTFE) 및 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 수지(ECTFE)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 불소계 화합물을 포함하는 금속 표면의 젖음성 개질 방법
16 16
제14항에 있어서,상기 제2양극산화 단계에서, 전압이 증가할수록 금속 표면의 물방울 접촉각이 증가하는 금속 표면의 젖음성 개질 방법
17 17
제14항 내지 제16항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 표면이 소수성으로 개질된 금속
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패밀리정보가 없습니다
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