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In, P 및 Ⅲ 족 원소를 포함하는 코어 양자점으로서 쉘 조성 물질로 Zn, Se, S를 포함하는 반도체 나노결정 입자인 InP 양자점 제조 방법으로서, 코어 공정에 사용되는 In 전구체로 InI3, InBr3 및 InCl3와 P 전구체로 P(DMA)3 및 P(DEA)3 이용하여 InP 양자점을 제조하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, InBr3를 In 전구체로 하여 적색, 황색, 녹색 발광 가능한 반도체 나노결정 입자를 제조하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, InP 코어 합성시 코어 반응 온도의 범위가 150~300℃로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, InP 코어 합성 후 trioctylphosphine(TOP), tributylphosphine(TBP), triphenylphosphine(TPP), diphenylphosphine(DPP), oleylamine(OLA), dodecylamine(DDA), hexadecylamine(HDA), octadecylamine(ODA), octylamine, trioctylamine(TOA) 및 selenium(Se)-TOP 용액을 주입하여 코어 표면을 패시베이션하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제4항에 있어서, 코어 표면 패시베이션 공정의 온도 범위는 50~220℃로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 합성된 코어를 불순물을 제거하기 위한 코어 정제 과정이 더 포함된 것을 특징으로 하는 방법
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제6항에 있어서, 코어 정제 공정시 코어 분산 용매로는 n-hexane, toluene, chloroform 및 ODE 등의 유기 용매를 사용하며, 비 분산 용매로 methanol, ethanol, isopropanol 및 acetone 등을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, InP 양자점의 쉘 구조는 이중쉘 구조로 중간쉘 후보로는 ZnSe 및 ZnSeS로 이루어지며, 외각쉘은 ZnS인 것을 특징으로 하는 방법
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제8항에 있어서, MgSe, MgS, GaP 및 AlP 등의 중간쉘도 포함되는 것을 특징으로 하는 방법
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