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한 쌍의 전극; 및상기 전극 사이에 구비되는 전자 운송층 및 MAPbI3 박막의 적층 구조를 포함하는 열전소자
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제1항에 있어서, 상기 전자 운송층은 ZnO 층인 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서, 상기 적층 구조의 두께는 300~400nm인 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서, 정공의 Transporting layer 또는 bocking layer를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자
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한 쌍의 전극; 및상기 전극 사이에 구비되는 전자 운송층 및 MAPbI3 박막의 적층 구조를 포함하는 열전소자를 제조하고,상기 전극 사이에 온도차를 발생시키고 상기 MAPbI3 박막에 빛을 쬐어, 상기 전자 운송층을 통해 carrier concentration을 증가시키는 것을 특징으로 하는 열전소자 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 MAPbI3 박막은 solution process로 형성하는 것을 특징으로 하는 열전소자 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 전자 운송층은 ZnO 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 열전소자 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 적층 구조의 두께는 300~400nm로 하는 것을 특징으로 하는 열전소자 제조 방법
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제5항에 있어서, 정공의 Transporting layer 또는 bocking layer를 더 포함하게 하는 것을 특징으로 하는 열전소자 제조 방법
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