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기판;상기 기판 상에 형성되고, 제1 농도로 도핑된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되고, 상기 제1 농도 보다 큰 제2 농도로 도핑된 바디층;상기 바디층 상에 형성되고, 상기 제2 농도 보다 큰 제3 농도로 도핑되며, 게이트 전극이 형성되는 리세스를 포함하는 채널층;을 포함하는 E-모드 반도체 소자
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청구항 1에 있어서,상기 버퍼층과 상기 바디층과 상기 채널층은 산화 갈륨계 반도체인, E-모드 반도체 소자
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청구항 2에 있어서,상기 산화 갈륨계 반도체는 N형 불순물이 도핑된, E-모드 반도체 소자
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청구항 2에 있어서,상기 산화 갈륨계 반도체는 β-Ga2O3인, E-모드 반도체 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제3 농도는 상기 제2 농도의 10배 이상이고, 상기 제2 농도는 상기 제1 농도의 10배 이상인, E-모드 반도체 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제2 농도는 5×1014(cm-3) ~ 5×1016(cm-3)이며, 상기 제3 농도는 1×1016(cm-3) ~ 2×1018(cm-3)인, E-모드 반도체 소자
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7
청구항 1에 있어서,상기 바디층의 두께는 50nm ~ 500nm이고, 상기 채널층의 두께는 10nm ~ 1000nm인, E-모드 반도체 소자
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8
청구항 1에 있어서,상기 리세스는 상기 채널층을 관통하여 형성되는, E-모드 반도체 소자
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9
청구항 1에 있어서,상기 리세스는 상기 채널층 및 상기 바디층의 적어도 일부를 에칭하여 형성되는, E-모드 반도체 소자
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청구항 9에 있어서,상기 리세스는 상기 바디층의 상단으로부터 50nm 이하 범위로 형성되는, E-모드 반도체 소자
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11
청구항 1에 있어서,상기 바디층과 상기 리세스 사이에는 5nm ~ 100nm 이하의 두께를 가진 절연층이 형성되는, E-모드 반도체 소자
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