요약 | 본 발명은 인듐주석 산화물을 이용한 이온 검출 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 ITO가 증착된 전계효과트랜지스터에 특정이온과 결합 및 반응하는 이온선택성 막을 도포하여 전기적 특성의 변화를 통해 특정이온의 농도를 측정하는 센서에 관한 것이다. 본 발명에 따른 인듐주석 산화물을 이용한 이온 검출 센서는 게이트, 드레인, 소스를 포함하며, ITO가 증착된 전계효과트랜지스터;와 상기 게이트에 도포되는 이온선택성막;과 상기 드레인, 소스를 덮는 경화층;을 포함한다. |
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Int. CL | G01N 27/414 (2006.01.01) G01N 27/333 (2006.01.01) |
CPC | G01N 27/414(2013.01) G01N 27/333(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020210009932 (2021.01.25) |
출원인 | 금오공과대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2022-0107377 (2022.08.02) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 국내출원/신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | N |
심사청구항수 | 4 |