| 1 |
1
내부가 빈 중공을 가지는 TiO2 입자,상기 TiO2 입자에 도핑된 전이 금속을 포함하고,상기 전이 금속은 Pt, Pd, Au, Cu, Co, Ni 중 어느 하나인 광촉매
|
| 2 |
2
제1항에서,상기 전이 금속은 상기 중공으로 노출된 상기 TiO2 입자의 내면에 도핑되어 있는 광촉매
|
| 3 |
3
제1항에서,상기 광촉매는 가시광선 영역에서 반응하는 광촉매
|
| 4 |
4
SiO2 입자를 제조하는 단계,상기 SiO2 입자의 표면에 전이 금속을 부착하는 단계,상기 SiO2 입자의 표면에 TiO2 층을 형성하는 단계,상기 SiO2 입자를 제거하는 단계를 포함하는 광촉매 제조 방법
|
| 5 |
5
제4항에서,상기 SiO2 입자를 제거하는 단계는,HF 또는 NaOH 용액에 상기 SiO2 입자를 혼합시켜, 수열 처리로 제거하는 광촉매 제조 방법
|
| 6 |
6
제4항에서,상기 수열 처리는 50℃ 내지 150℃에서 실시하는 광촉매 제조 방법
|
| 7 |
7
제4항에서,상기 전이 금속은 Pt, Pd, Au, Cu, Co, Ni 중 어느 하나인 광촉매 제조 방법
|
