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유연 기판, 및 상기 유연 기판 상의 제1 금속층과 제2 금속층을 포함하고,여기서, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층은 서로 측면이 인접하고, 이들 인접하는 측면 사이의 갭(gap)은 상기 유연 기판에 물리적 힘이 가해졌을 때 상기 물리적 힘에 따라 그의 크기가 변하는 것인 플렉서블-제로갭 기판
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제1항에 있어서,상기 물리적 힘이 가해지지 않았을 때 상기 갭은 0 (zero)인 것을 특징으로 하는 플렉서블-제로갭 기판
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제2항에 있어서,상기 물리적 힘이 가해졌을 때 서로 인접하는 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 사이의 접촉부에서 계면(interface) 벌어짐이 발생하여 상기 갭이 0 초과로 되는 것을 특징으로 하는 플렉서블-제로갭 기판
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제2항에 있어서, 상기 물리적 힘이 가해졌을 때 상기 갭은 0 초과로 되어 트렌치(trench)를 형성하고, 상기 트렌치의 폭은 1 pm 또는 그 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블-제로갭 기판
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제4항에 있어서, 상기 트렌치는 높이가 10 ㎚ 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 플렉서블-제로갭 기판
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제1항에 있어서,상기 물리적 힘의 정도에 따라 상기 갭의 크기는 1 pm 내지 1 ㎛ 의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 플렉서블-제로갭 기판
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제1항에 있어서, 상기 물리적 힘은 상기 유연 기판을 늘리거나 구부리는 힘인 것을 특징으로 하는 플렉서블-제로갭 기판
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제1항에 있어서, 상기 유연 기판은 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌텔프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 에코플렉스(ecoflex), 및 스테인리스 스틸 테이프로 이루어진 군에서 선택되는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블-제로갭 기판
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제1항에 있어서, 상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층은 서로 동일하거나 상이한 재료로 된 것일 수 있고, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 인듐(In), 주석(Sn), 및 갈륨(Ga) 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 재료로 된 것을 특징으로 하는 플렉서블-제로갭 기판
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제9항에 있어서, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층은 서로 동일한 재료로 된 것을 특징으로 하는 플렉서블-제로갭 기판
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제1항에 있어서, 상기 플렉서블-제로갭 기판은 마이크로웨이브 또는 테라헤르츠파 대역 스위치 및 안테나, 마이크로웨이브 차폐제, 구조 역학적 기억 소자, 저항 메모리 소자, 양자 저항 기반 소자, 쉐도우 마스크, 포토 마스크, 물질 특성 관측 플랫폼, 광화학 분석 플랫폼, 초미세 먼지 및 가스 센서, 바이러스 검출기, 나노바이오센서, 분자전자공학 플랫폼, 나노와이어 제작 플랫폼 및 단일원자체인 제작 플랫폼으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 제작하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 플렉서블-제로갭 기판
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(a) 유연 기판 상에 제1 금속층을 형성하는 단계; (b) 상기 제1 금속층을 패터닝하는 단계; 및 (c) 상기 패터닝된 제1 금속층들 사이의 트렌치 내부에 제2 금속층을 형성하는 단계를 포함하는, 제1항에 따른 플렉서블-제로갭 기판의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 패터닝된 제1 금속층들의 측면에 제3의 층이 개입되지 않고 제1 금속층의 측면과 인접하도록 제2 금속층이 형성되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 (c) 단계는 포토리소그래피, 전자빔 리소그래피, 리프트 오프 공정, 또는 접착 테이프를 이용하는 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 기재된 플렉서블-제로갭 기판을 이용하여 제작된 쉐도우 마스크
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제1항에 기재된 플렉서블-제로갭 기판을 이용하여 제작된 마이크로웨이브 또는 테라헤르츠파 대역에서의 스위치
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제1항에 기재된 플렉서블-제로갭 기판을 이용하여 제작된 마이크로웨이브 또는 테라헤르츠파 대역에서의 안테나
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