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활성 영역, 상기 활성 영역에 인접한 위상 조절 영역, 및 상기 위상 조절 영역에 인접하고 채널 홀을 갖는 DBR 영역을 포함하는 기판;상기 기판 상에 배치되는 하부 클래드 층;상기 하부 클래드 층 상에 배치되고, 상기 활성 영역에서부터 상기 DBR 영역까지 연장하는 광 도파로;상기 광 도파로 및 상기 하부 클래드 층 상에 배치되는 상부 클래드 층;상기 위상 조절 영역 및 상기 DBR 영역의 상기 하부 클래드 층, 상기 상부 클래드 층, 및 상기 기판 상에 배치된 하부 절연 층;상기 하부 절연 층 상에 배치된 상부 절연 층;상기 상부 절연 층 상에 배치된 상부 전극들; 및상기 하부 클래드 층, 상기 광 도파로, 및 상기 상부 클래드 층 외곽의 상기 상부 절연 층과 상기 하부 절연 층 사이에 배치되고, 상기 채널 홀 내에 배치되어 상기 광 도파로를 상기 기판으로부터 열적으로 분리시키는 열 차단 층을 포함하는 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 열 차단 층은 BCB(Benzocyclbutene), 또는 폴리이미드(polyimide)를 포함하는 레이저 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 열 차단 층은 상기 트렌치 내에서 M자 모양을 갖는 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 열 차단 층은 상기 광 도파로의 양측 측벽들 및 하부에 배치되는 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 상부 클래드 층은 상기 DBR 영역 내에 배치되는 브래그 격자를 포함하는 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 하부 절연 층 및 상부 절연 층은 실리콘 질화물을 포함하는 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 활성 영역의 상기 상부 클래드 층과 상기 상부 전극들 중의 하나 사이에 제공되는 오믹(ohmic) 전극; 및상기 상부 전극들에 연결되는 전극 패드들을 더 포함하는 레이저 다이오드
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제 7 항에 있어서, 활성 영역의 상기 전극 패드들 중의 하나와 상기 기판 사이의 패드 절연 층을 더 포함하되,상기 패드 절연 층은 BCB(Benzocyclbutene), 또는 폴리이미드(polyimide)를 포함하는 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 채널 홀의 내벽과 상기 열 차단 층 사이의 배리어 층을 더 포함하는 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 활성 영역의 상기 기판 하부 면 상에 배치된 하부 전극을 더 포함하는 레이저 다이오드
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활성 영역, 위상 조절 영역, 및 DBR 영역을 포함하는 기판 상에 하부 클래드 층, 광 도파로, 및 상부 클래드 층을 형성하는 단계;상기 DBR 영역의 상기 하부 클래드 층, 상기 광 도파로, 상기 상부 클래드 층, 및 상기 기판 상에 하부 절연 층을 형성하는 단계;상기 위상 조절 영역 및 상기 DBR 영역의 상기 하부 클래드 층, 상기 광 도파로, 및 상기 상부 클래드 층 외곽의 상기 하부 절연 층 및 상기 기판의 일부를 식각하여 트렌치들을 형성하는 단계;상기 트렌치들 내벽의 상기 기판을 식각하여 상기 트렌치들을 연결하는 채널 홀을 형성하는 단계;상기 채널 홀의 내부 및 상기 하부 절연 층 상에 열 차단 층을 형성하는 단계; 상기 열 차단 층 및 상기 하부 절연 층 상에 상부 절연 층을 형성하는 단계; 및상기 위상 조절 영역 및 상기 DBR 영역의 상기 상부 절연 층, 그리고 상기 활성 영역의 상기 상부 클래드 층 상에 상부 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 활성 영역의 상부 클래드 층 상에 콘택 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 채널 홀의 내벽에 배리어 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 트렌치들은 건식 식각공정으로 형성되는 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 채널 홀은 습식 식각공정으로 형성되는 레이저 다이오드의 제조 방법
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