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주석전구체, 산 및 염기를 함유하는 반응 용액을 이용하되, 상기 반응 용액의 pH를 기준으로 기재상 산화주석층을 형성하는, 화학적 용액 성장법(chemical bath deposition)을 이용한 전자전달층 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 산화주석층의 형성 중 및 형성 직후의 증착 전 시점에서 상기 반응 용액의 pH가 설정값 이하로 유지되는 방법
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제 1항에 있어서,상기 산화주석층은 상기 반응 용액의 pH 3 미만의 조건에서 형성되는, 방법
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제 1항에 있어서,상기 산화주석층은 상기 반응 용액의 pH 1
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제 1항에 있어서,상기 반응 용액의 온도는 70 내지 95℃인 방법
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제 1항에 있어서,반응 용액의 제조 직후 기준, 상기 반응 용액의 용존 산소는 4mg/L 이상인 방법
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제 1항에 있어서,상기 산은 황산, 질산, 염산 및 인산에서 하나 이상 선택되는 무기산과 카르복실산 및 카르복실산의 유도체에서 하나 이상 선택되는 유기산을 포함하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 염기는 암모니아, 암모늄 카르보네이트, 암모늄 바이카르보네이트 및 우레아에서 하나 이상 선택되는 방법
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제 1항에 있어서,반응 용액의 제조 직후 기준, 상기 반응 용액의 pH는 1 이하인 방법
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 산화주석층을 포함하는 전자전달 구조체
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전극 상부에 위치하며 라만 스펙트럼 상 하기 식 1을 만족하는 루타일 구조의 산화주석(SnO2)층을 포함하는 전자전달 구조체
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제 11항에 있어서,상기 산화주석층의 두께는 20 내지 150nm인 전자전달 구조체
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제 11항에 있어서,상기 산화주석층의 X-선 광전자 스펙트럼에서 Sn 3d5/2 피크의 중심은 487
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제 11항에 있어서,상기 산화주석층의 평균 산화주석 결정 크기는 1 내지 5nm인 전자전달 구조체
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제 11항에 있어서,상기 전극은 두께 방향의 수직 단면 기준 힐 앤 밸리(hill and valley)의 요철을 갖는 전자전달 구조체
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제 15항에 있어서,상기 산화주석층은 힐 앤 밸리의 요철을 모두 덮은 전자전달 구조체
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제 11항에 있어서,상기 전자전달 구조체는 페로브스카이트 화합물이 광흡수체이나 발광체로 구비되는 소자용인 전자전달 구조체
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제 11항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 전자전달 구조체;상기 전자전달 구조체의 산화주석층 상에 위치하는 페로브스카이트 화합물층인 광흡수층;상기 광흡수층 상에 위치하는 정공전달층; 및상기 정공전달층 상에 위치하는 대전극; 를 포함하는 페로브스카이트 태양전지
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제 18항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물층은 아미디니움계 페로브스카이트 화합물인 페로브스카이트 태양전지
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제 19항에 있어서,상기 광흡수층은 함유된 아미디니움계 페로브스카이트 화합물 총 몰수를 100 몰%로 하여, 2
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제 20항에 있어서,상기 광흡수층은 금속할로겐화물을 더 함유하는 페로브스카이트 태양전지
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제 20항에 있어서,상기 광흡수층과 상기 정공전달층 사이에, 2차원 페로브스카이트 화합물층인 표면층이 더 위치하는 페로브스카이트 태양전지
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제 18항에 있어서,1
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제 11항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 전자전달 구조체;상기 전자전달 구조체의 산화주석층 상에 위치하는 페로브스카이트 화합물층인 발광층;상기 발광층 상에 위치하는 정공전달층; 및상기 정공전달층 상에 위치하는 대전극; 를 포함하는 페로브스카이트 발광 다이오드
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제 24항에 있어서,순방향 바이어스 기준 17% 이상의 전계발광 외부양자효율을 갖는 페로브스카이트 발광 다이오드
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전극이 형성된 기재의 전극 상 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 전자전달층을 형성하는 단계;전자전달층 상 페로브스카이트 화합물층인 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 2차원 페로브스카이트 화합물인 표면층을 형성하는 단계; 및상기 표면층 상 정공전달층 및 상기 대전극을 형성하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제 26항에 있어서,상기 광흡수층은 아미디니움계 페로브스카이트 화합물 및 아미디니움계 페로브스카이트 화합물의 총 몰수를 100 몰%로 하여, 2
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