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자가충전 에너지 하베스터 및 그를 이용한 자가충전방법

  • 기술번호 : KST2022016733
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자가충전 에너지 하베스터 및 그를 이용한 자가충전방법을 개시한다. 상기 자가충전 에너지 하베스터는 제1 전도성 물질 또는 제1 비전도성 물질을 포함하는 제1 전극; 제2 전도성 물질 또는 제2 비전도성 물질을 포함하는 제2 전극; 및 전해질;을 포함하고, 상기 제1 전도성 물질 또는 제2 비전도성 물질은 상기 제2 전도성 물질 또는 제2 비전도성 물질과 서로 다른 자가전위(self-potential)를 가질 수 있다. 본 발명의 자가충전 에너지 하베스터는 외부 에너지원이 필요 없기에 언제 어디서든 사용가능한 효과가 있다. 또한 본 발명의 자가충전 에너지 하베스터는 웨어러블 산업에 활용 가능한 효과가 있다.
Int. CL H02N 11/00 (2006.01.01) H01M 14/00 (2006.01.01)
CPC H02N 11/002(2013.01) H01M 14/00(2013.01)
출원번호/일자 1020210020033 (2021.02.15)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0116770 (2022.08.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.02.15)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김시형 경기도 안산시 상록구
2 김건중 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수열 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동) *층(국제특허다호)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-0180659-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0137015-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0589453-60
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번호 청구항
1 1
제1 전도성 물질 또는 제1 비전도성 물질을 포함하는 제1 전극;제2 전도성 물질 또는 제2 비전도성 물질을 포함하는 제2 전극; 및전해질;을 포함하고,상기 제1 전도성 물질 또는 제1 비전도성 물질은 상기 제2 전도성 물질 또는 제2 비전도성 물질과 서로 다른 자가전위(self-potential)를 갖는 것인 자가충전 에너지 하베스터
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극이 각각 상기 전해질 내에서 상기 제1 전극 및 제2 전극의 표면에 전기화학 이중층(electrochemical double layer)을 형성하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질 또는 제1 비전도성 물질이 상기 제2 전도성 물질 또는 상기 제2 비전도성 물질과 서로 다른 종류의 물질인 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
4 4
제1항에 있어서,상기 자가충전 에너지 하베스터가상기 제1 전도성 물질 또는 제1 비전도성 물질과 상기 제2 전도성 물질 또는 제2 비전도성 물질 사이에 자가 전위차(self-potential difference)가 생성되는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
5 5
제4항에 있어서,상기 자가충전 에너지 하베스터가 상기 자가 전위차를 이용하여 전기 에너지를 저장하는 에너지 저장부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
6 6
제1항에 있어서,상기 자가충전 에너지 하베스터는 산화 환원 반응(redox reaction)이 일어나지 않는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
7 7
제1항에 있어서,상기 자가충전 에너지 하베스터가 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결(short)하거나 절연(open)하는 스위치를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
8 8
제1항에 있어서,상기 전해질이 액체 전해질 또는 고체 전해질인 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
9 9
제8항에 있어서,상기 전해질이 액체 전해질이고,상기 제1 전극 및 제2 전극이 각각 상기 액체 전해질에 침지되는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
10 10
제8항에 있어서,상기 전해질이 고체 전해질이고,상기 제1 전극 및 제2 전극의 표면 상에 각각 상기 고체 전해질이 위치하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
11 11
제10항에 있어서,상기 자가충전 에너지 하베스터가 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 분리막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
12 12
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질 및 상기 제2 전도성 물질이 각각 금속, 금속산화물, 탄소계 물질, 전도성 무기물, 전도성 고분자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하고, 상기 제1 전도성 물질의 자가전위 값은 제2 전도성 물질의 자가전위 값과 서로 다른 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
13 13
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질이 제1 금속을 포함하고,상기 제2 전도성 물질이 제2 금속을 포함하고,상기 제1 금속과 상기 제2 금속이 서로 다른 종류의 금속인 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
14 14
제13항에 있어서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속이 각각 독립적으로 금, 은, 백금, 팔라듐, 니켈, 인듐, 로듐, 루테늄, 오스뮴, 코발트, 몰리브덴, 바나듐, 텅스텐, 티탄, 망간, 크롬, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
15 15
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질이 제1 카본나노튜브 얀을 포함하고, 상기 제2 전도성 물질이 제2 카본나노튜브 얀을 포함하고, 상기 제1 카본나노튜브 얀 및 상기 제2 카본나노튜브 얀으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 내부에 그래핀, 그래핀옥사이드, 플러렌, 그래파이트, 활성탄 (Activated carbon), 은, 백금, 금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
16 16
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질이 제1 금속을 포함하고,상기 제2 전도성 물질이 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
17 17
제16항에 있어서,상기 전도성 고분자가 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리스티렌 술포네이트(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate, PSS), 폴리디알릴 디메틸 암모늄 클로라이드(poly(diallyldimethylammonium choloride, PDDA), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리파라페닐렌, 폴리(3,4-에틸렌이옥시티오펜), 폴리페닐렌설파이드, 폴리파라-페닐렌비닐렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
18 18
제1항에 따른 자가충전 에너지 하베스터를 사용하여 전기에너지를 충전하는 방법이고,(a) 제1 전극과 제2 전극을 전기적으로 절연(open)하여 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 자가 전위차를 생성하는 단계; 및 (b) 상기 제1 전극과 제2 전극을 전기적으로 연결(short)하고 상기 자가 전위차를 이용하여 에너지 저장부에 전기에너지를 저장하고 상기 자가 전위차가 소멸되는 단계;를포함하는 에너지 하베스터를 이용한 자가충전방법
19 19
제18항에 있어서,상기 자가충전방법이(c) 상기 제1 전극과 제2 전극을 전기적으로 다시 절연(open)하여 상기 자가 전위차를 다시 생성시키는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 하베스터를 이용한 자가충전방법
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