1 |
1
제1 전도성 물질 또는 제1 비전도성 물질을 포함하는 제1 전극;제2 전도성 물질 또는 제2 비전도성 물질을 포함하는 제2 전극; 및전해질;을 포함하고,상기 제1 전도성 물질 또는 제1 비전도성 물질은 상기 제2 전도성 물질 또는 제2 비전도성 물질과 서로 다른 자가전위(self-potential)를 갖는 것인 자가충전 에너지 하베스터
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극이 각각 상기 전해질 내에서 상기 제1 전극 및 제2 전극의 표면에 전기화학 이중층(electrochemical double layer)을 형성하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질 또는 제1 비전도성 물질이 상기 제2 전도성 물질 또는 상기 제2 비전도성 물질과 서로 다른 종류의 물질인 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 자가충전 에너지 하베스터가상기 제1 전도성 물질 또는 제1 비전도성 물질과 상기 제2 전도성 물질 또는 제2 비전도성 물질 사이에 자가 전위차(self-potential difference)가 생성되는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
5 |
5
제4항에 있어서,상기 자가충전 에너지 하베스터가 상기 자가 전위차를 이용하여 전기 에너지를 저장하는 에너지 저장부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 자가충전 에너지 하베스터는 산화 환원 반응(redox reaction)이 일어나지 않는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 자가충전 에너지 하베스터가 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결(short)하거나 절연(open)하는 스위치를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 전해질이 액체 전해질 또는 고체 전해질인 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
9 |
9
제8항에 있어서,상기 전해질이 액체 전해질이고,상기 제1 전극 및 제2 전극이 각각 상기 액체 전해질에 침지되는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
10 |
10
제8항에 있어서,상기 전해질이 고체 전해질이고,상기 제1 전극 및 제2 전극의 표면 상에 각각 상기 고체 전해질이 위치하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 자가충전 에너지 하베스터가 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 분리막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
12 |
12
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질 및 상기 제2 전도성 물질이 각각 금속, 금속산화물, 탄소계 물질, 전도성 무기물, 전도성 고분자 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하고, 상기 제1 전도성 물질의 자가전위 값은 제2 전도성 물질의 자가전위 값과 서로 다른 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
13 |
13
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질이 제1 금속을 포함하고,상기 제2 전도성 물질이 제2 금속을 포함하고,상기 제1 금속과 상기 제2 금속이 서로 다른 종류의 금속인 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
14 |
14
제13항에 있어서,상기 제1 금속 및 상기 제2 금속이 각각 독립적으로 금, 은, 백금, 팔라듐, 니켈, 인듐, 로듐, 루테늄, 오스뮴, 코발트, 몰리브덴, 바나듐, 텅스텐, 티탄, 망간, 크롬, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
15 |
15
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질이 제1 카본나노튜브 얀을 포함하고, 상기 제2 전도성 물질이 제2 카본나노튜브 얀을 포함하고, 상기 제1 카본나노튜브 얀 및 상기 제2 카본나노튜브 얀으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 내부에 그래핀, 그래핀옥사이드, 플러렌, 그래파이트, 활성탄 (Activated carbon), 은, 백금, 금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
16 |
16
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질이 제1 금속을 포함하고,상기 제2 전도성 물질이 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
17 |
17
제16항에 있어서,상기 전도성 고분자가 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리스티렌 술포네이트(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate, PSS), 폴리디알릴 디메틸 암모늄 클로라이드(poly(diallyldimethylammonium choloride, PDDA), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리파라페닐렌, 폴리(3,4-에틸렌이옥시티오펜), 폴리페닐렌설파이드, 폴리파라-페닐렌비닐렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 자가충전 에너지 하베스터
|
18 |
18
제1항에 따른 자가충전 에너지 하베스터를 사용하여 전기에너지를 충전하는 방법이고,(a) 제1 전극과 제2 전극을 전기적으로 절연(open)하여 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 자가 전위차를 생성하는 단계; 및 (b) 상기 제1 전극과 제2 전극을 전기적으로 연결(short)하고 상기 자가 전위차를 이용하여 에너지 저장부에 전기에너지를 저장하고 상기 자가 전위차가 소멸되는 단계;를포함하는 에너지 하베스터를 이용한 자가충전방법
|
19 |
19
제18항에 있어서,상기 자가충전방법이(c) 상기 제1 전극과 제2 전극을 전기적으로 다시 절연(open)하여 상기 자가 전위차를 다시 생성시키는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 하베스터를 이용한 자가충전방법
|