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C1 화합물을 포함하는, 아세토젠 균주의 생장 및 대사 속도 증대용 배양 배지 조성물
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제1항에 있어서,상기 C1 화합물은, 포름산 및 포름알데히드로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 아세토젠 균주의 생장 및 대사 속도 증대용 배양 배지 조성물
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제1항에 있어서,상기 C1 화합물은, 메탄올인 것을 특징으로 하는 아세토젠 균주의 생장 및 대사 속도 증대용 배양 배지 조성물
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제3항에 있어서,상기 메탄올은, 전체 배지 조성물 대비 0 초과 1
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제1항에 있어서,상기 아세토젠 균주는, 메탄올을 자화 가능한 아세토젠 균주를 포함하는 것을 특징으로 하는 아세토젠 균주의 생장 및 대사 속도 증대용 배양 배지 조성물
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제1항에 있어서, 상기 아세토젠 균주는, 유박테리움 리모숨(Eubacterium limosum), 클로스트리디움 오토에타노게눔(Clostridium autoethanogenum), 클로스트리디움 리융달리(Clostridium ljungdahlii), 클로스트리듐 카르복시디보란스(Clostridium carboxidivorans), 클로스트리디움 라그스달레이(Clostridium ragsdalei), 스포로무사 오바타(Sporomusa ovata), 아세토박테리움 우디(Acetobacterium woodii), 아세토박테리움 디할로게난스(Acetobacterium dehalogenans), 무렐라 써모아세티카(Moorella thermoacetica)를 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 아세토젠 균주의 생장 및 대사 속도 증대용 배양 배지 조성물
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7
제1항에 있어서, 상기 대사 속도 증대는, 상기 아세토젠 균주의 가스 기질 소비 속도 증대를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 아세토젠 균주의 생장 및 대사 속도 증대용 배양 배지 조성물
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제7항에 있어서, 상기 가스 기질은, H2 가스, CO 가스 및 CO2 가스 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 아세토젠 균주의 생장 및 대사 속도 증대용 배양 배지 조성물
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C1 화합물을 포함하는 아세토젠 균주 배양 배지 조성물을 생물 반응기 내부에 주입하는 배지 주입 단계;상기 배양 배지 조성물에 아세토젠 균주를 접종하는 균주 접종 단계; 및상기 생물 반응기를 구동시켜 상기 아세토젠 균주를 배양하는 생물 반응기 구동 단계;를 포함하는 아세토젠 균주의 배양 방법
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제9항에 있어서,상기 C1 화합물은, 포름산 및 포름알데히드로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 아세토젠 균주의 배양 방법
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제9항에 있어서,상기 C1 화합물은, 메탄올인 것을 특징으로 하는 아세토젠 균주 배양 방법
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