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이산화티탄 나노 튜브; 및상기 이산화티탄 나노 튜브의 표면에 금속산화물 코팅층을 포함하고, 상기 금속산화물 코팅층의 두께는 1 내지 50 nm 인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브
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제1항에서, 상기 이산화티탄 나노 튜브의 평균 직경은 150 내지 200 nm인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브
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제1항에서, 상기 금속산화물 코팅층에서,상기 금속은 이산화티탄의 환원 전위보다 높은 환원전위(potential)를 가지는 금속을 포함하는 것인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브
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제1항에서, 상기 금속산화물 코팅층에서,상기 금속은 Ru, Ir, Cu, Zn, Au, Fe, Co, V, Ni, Ag, Cu, Pt, Mn, Li, 또는 이들의 조합 중 하나 이상을 포함하는 것인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브
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이산화티탄 나노 튜브를 준비하는 단계;상기 이산화티탄 나노 튜브를 환원하여 환원된 이산화티탄 나노 튜브를 제조하는 단계; 상기 환원된 이산화티탄 나노 튜브를 금속 전구체를 포함하는 수용액에 침지하여 금속이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브를 제조하는 단계; 및 상기 금속이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브를 열처리하여 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브를 제조하는 단계를 포함하는 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브의 제조방법
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제5항에서, 상기 환원된 이산화티탄 나노 튜브를 금속 전구체를 포함하는 수용액에 침지하여 금속이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브를 제조하는 단계에서, 상기 금속은 이산화티탄의 환원 전위보다 높은 환원전위(potential)를 가지는 금속을 포함하는 것인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브의 제조방법
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제5항에서, 상기 환원된 이산화티탄 나노 튜브를 금속 전구체를 포함하는 수용액에 침지하여 금속이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브를 제조하는 단계에서, 상기 금속은 Ru, Ir, Cu, Zn, Au, Fe, Co, V, Ni, Ag, Cu, Pt, Mn, Li, 또는 이들의 조합 중 하나 이상을 포함하는 것인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브의 제조방법
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제5항에서, 상기 환원된 이산화티탄 나노 튜브를 금속 전구체를 포함하는 수용액에 침지하여 금속이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브를 제조하는 단계에서, 상기 환원된 이산화티탄 나노 튜브를 1분 내지 48 시간 동안 상기 금속 전구체를 포함하는 수용액에 침지하는 것인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브의 제조방법
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제5항에서, 상기 금속이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브를 열처리하여 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브를 제조하는 단계는, 상기 금속이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브를 300 내지 600℃에서 30분 내지 5시간 동안 공기 중에서 열처리하는 것인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브의 제조방법
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제5항에서, 상기 이산화티탄 나노 튜브를 환원하여 환원된 이산화티탄 나노 튜브를 제조하는 단계는, 상기 이산화티탄 나노 튜브를 전기화학적으로 환원하는 것인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브의 제조방법
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제5항에서, 상기 이산화티탄 나노 튜브를 준비하는 단계는, 티타늄 금속을 1차 및 2차 양극 산화 처리하여 이산화티탄 나노 튜브 형태로 제조하는 단계; 및 상기 이산화티탄 나노 튜브를 열처리하는 단계를 포함하는 것인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브의 제조방법
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제11항에서, 상기 이산화티탄 나노 튜브를 열처리하는 단계는, 상기 이산화티탄 나노 튜브를 300 내지 600℃에서 30분 내지 2시간 동안 공기 중에서 열처리하여, 아나타제(anatase) 상으로 변환하는 단계인 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브의 제조방법
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제 5항에서,상기 환원된 이산화티탄 나노 튜브를 금속 전구체를 포함하는 수용액에 침지하여 금속이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브를 제조하는 단계는상기 금속이 이산화티탄의 환원 전위보다 낮은 환원전위(potential)를 가지는 금속을 포함하는 경우, 상기 수용액의 pH를 조절하여 상기 금속이 상기 이산화티탄의 환원 전위보다 높은 전위를 갖도록 전처리하는 단계, 를 포함하는 금속산화물이 코팅된 이산화티탄 나노 튜브의 제조방법
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