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CuM2O4 금속산화물 박막을 구비하는 광환원 전극의 제조방법에 있어서, 기판 상에 스핀 코팅으로 Cu 전구체 물질과 M 전구체 물질이 용해된 용액을 도포하여 전구체 박막을 형성하는 단계;상기 전구체 박막에 대해 제1 온도에서 제1 열처리 공정을 진행하는 단계; 및 상기 제1 열처리된 전구체 박막에 대해 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 제2 열처리 공정을 진행하는 단계;를 포함하고, 상기 M은 비스무스(Bi), 크롬(Cr) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나를 포함하는, 금속산화물 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전구체 박막을 형성하는 단계 전에 상기 기판 상에 산화구리(CuO) 박막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 전구체 박막은 상기 산화구리 박막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 온도는 200 내지 350 ℃이고,상기 제2 온도는 500 내지 600 ℃인 것을 특징으로 하는, 금속산화물 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 열처리 공정의 공정 시간은 10 내지 40 분인 것을 특징으로 하는, 금속산화물 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 Cu 전구체 물질은 질산구리 수화물, 염화구리 수화물 또는 아세트산구리 수화물을 포함하고, 상기 M 전구체 물질은 질산 비스무스 수화물, 염화 비스무스 수화물, 아세트산 비스무스 수화물, 질산 철 수화물, 염화 철 수화물, 질산 크롬 수화물 또는 염화 크롬 수화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 열처리 공정을 진행하기 전에, 상기 전구체 박막을 형성하는 단계와 상기 제1 열처리 공정을 진행하는 단계를 반복하여 수행하고,상기 CuM2O4 금속산화물 박막의 두께는 400 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는, 금속산화물 전극의 제조방법
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산화구리(CuO) 박막; 및 상기 산화구리 박막 상에 배치되고 스피넬 구조를 갖는 CuM2O4 금속산화물 박막을 포함하고, 상기 M은 비스무스(Bi), 크롬(Cr) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나를 포함하는, 광환원 전극
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제7항에 있어서, 상기 산화구리 박막과 상기 CuM2O4 금속산화물 박막이 서로 이종접합구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 광환원 전극
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제7항에 있어서, 상기 CuM2O4 금속산화물 박막의 입계 크기는 250 내지 350 nm를 갖는 것을 특징으로 하는, 광환원 전극
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제7항에 있어서, 상기 CuM2O4 금속산화물 박막의 두께는 400 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는, 광환원 전극
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제7항에 있어서, 상기 CuM2O4 금속산화물 박막 상에 배치되고, 백금을 포함하는 촉매층을 더 포함하는, 광환원 전극
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산화구리(CuO) 박막과 스피넬 구조를 갖는 CuM2O4 금속산화물 박막의 이종접합 구조를 포함하고, 상기 M은 비스무스(Bi), 크롬(Cr) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나를 포함하는 광환원 전극;광환원 전극에서 생성된 정공과 반응하여 산소기체를 발생시키는 산화전극;광환원 전극의 전위의 기준이 되는 기준전극; 및상기 광환원 전극, 산화전극, 및 기준전극이 침지되는 전해질;을 포함하는, 광전기화학전지
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제12항에 있어서,상기 CuM2O4 금속산화물 박막의 두께가 400 내지 600 nm인 것을 특징으로 하는, 광전기화학전지
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제12항에 있어서,상기 광환원 전극 상에 배치되고, 백금을 포함하는 촉매층을 더 포함하는, 광전기화학전지
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