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우레아를 포함하는 수용액에 침지된 아연 소스에 1000 nm 내지 1100 nm 파장의 펄스레이저를 조사하여 산화아연 콜로이드 입자를 형성하는 단계; 및상기 산화아연 콜로이드 입자가 형성된 용액에 500 nm 내지 600 nm의 펄스레이저를 조사하여 질소 도핑된 산화아연 입자를 합성하는 단계를 포함하는, 펄스레이저를 이용한 질소 도핑된 산화아연 입자의 제조방법
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수용액에 침지된 아연 소스에 1000 nm 내지 1100 nm 파장의 펄스레이저를 조사하여 산화아연 콜로이드 입자를 형성하는 단계; 및상기 형성된 산화아연 콜로이드 입자를 우레아를 포함하는 수용액에 첨가하고 500 nm 내지 600 nm의 펄스레이저를 조사하여 질소 도핑된 산화아연 입자를 합성하는 단계를 포함하는, 펄스레이저를 이용한 질소 도핑된 산화아연 입자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 합성된 질소 도핑된 산화아연 입자를 세척한 후 열처리하는 단계를 더 포함하는, 펄스레이저를 이용한 질소 도핑된 산화아연 입자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 아연 소스는 아연 금속인 것인, 펄스레이저를 이용한 질소 도핑된 산화아연 입자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 산화아연 콜로이드 형성 단계에서, 펄스레이저의 파워는 50 mJ/㎠ 내지 150 mJ/㎠ 인 것인, 펄스레이저를 이용한 질소 도핑된 산화아연 입자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 질소 도핑된 산화아연 입자 합성 단계에서, 펄스레이저의 파워는 50 mJ/㎠ 내지 150 mJ/㎠ 인 것인, 펄스레이저를 이용한 질소 도핑된 산화아연 입자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 산화아연 콜로이드 형성 단계에서, 펄스레이저의 조사는 10 분 내지 1 시간 동안 수행되는 것인, 펄스레이저를 이용한 질소 도핑된 산화아연 입자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 질소 도핑된 산화아연 입자 합성 단계에서, 펄스레이저의 조사는 10 분 내지 1 시간 동안 수행되는 것인, 펄스레이저를 이용한 질소 도핑된 산화아연 입자의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 열처리는 300℃ 내지 700℃의 온도로 수행되는 것인, 펄스레이저를 이용한 질소 도핑된 산화아연 입자의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 열처리는 30 분 내지 3 시간 동안 수행되는 것인, 펄스레이저를 이용한 질소 도핑된 산화아연 입자의 제조방법
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제1항 또는 제2항의 방법으로 제조된 질소 도핑된 산화아연 입자
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제11항에 있어서,상기 산화아연 입자는 가시광선 영역에서 활성을 갖는 것인, 질소 도핑된 산화아연 입자
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