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강상관전자계를 이용한 적외선 투과 전도체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2022017009
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 강상관전자계를 이용한 적외선 투과 전도체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 투과 전도체는, 전이금속 산화물을 포함하는 강상관전자계 산화물을 포함한다.
Int. CL G02B 5/20 (2022.01.01) G02B 1/02 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 1/08 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 16/40 (2006.01.01) C30B 23/02 (2006.01.01) C30B 25/18 (2006.01.01) C30B 29/32 (2006.01.01)
CPC G02B 5/208(2013.01) G02B 1/02(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 1/08(2013.01) C23C 14/088(2013.01) C23C 14/3485(2013.01) C23C 16/409(2013.01) C30B 23/025(2013.01) C30B 25/18(2013.01) C30B 29/32(2013.01)
출원번호/일자 1020210021258 (2021.02.17)
출원인 국방과학연구소, 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0117647 (2022.08.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.02.17)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
2 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이기수 대전광역시 유성구
2 이신범 대구광역시 달성군 유가읍 테크노대로*길 **, ***동 ****호(대구
3 최송희 대구광역시 달성군 현풍읍 테크노북로*길 **, ***동 ***호(대구
4 하영경 경상남도 창원시 의창구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2021-0193160-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2022-5178676-45
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번호 청구항
1 1
전이금속 산화물을 포함하는 강상관전자계 산화물을 포함하는,적외선 투과 전도체
2 2
제1항에 있어서,상기 전이금속 산화물은 3d 전이금속 및 4d 전이금속 산화물을 포함하는 것인,적외선 투과 전도체
3 3
제1항에 있어서,상기 전이금속 산화물은, 스트론튬 산화물, 바나듐 산화물, 타이타늄 산화물, 몰리브데넘 산화물, 루테늄 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 적외선 투과 전도체
4 4
제3항에 있어서,상기 스트론튬 산화물은, SrNbO3, SrMoO3 및 SrVO3로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,적외선 투과 전도체
5 5
제3항에 있어서,상기 바나듐 산화물은, VO, VO2, V2O3, V2O4, V2O5, V3O5, V3O7, V4O7, V4O9, V5O9, V6O11, V6O13 및 V7O13로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,적외선 투과 전도체
6 6
제5항에 있어서,상기 바나듐 산화물은 도핑 물질을 더 포함하고,상기 도핑 물질은, B, W, Cr, Ni, Zn, Al, Mo, Cu, Sn, Ce, Ru, Y, Ti, Ce, Mn, La, Sm 및 Nb으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,적외선 투과 전도체
7 7
제1항에 있어서,상기 적외선 투과 전도체는, 박막, 나노 구조체 및 덩어리 형태로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,적외선 투과 전도체
8 8
제7항에 있어서,상기 박막은,단결정 박막, 다결정 박막 및 비정질 박막으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,적외선 투과 전도체
9 9
제1항에 있어서,상기 적외선 투과 전도체는,4 ㎛의 파장에서 적외선 투과율이 50 % 이상인 것인, 적외선 투과 전도체
10 10
제1항에 있어서,상기 적외선 투과 전도체는, 상기 적외선 투과 전도체의 두께가 30 nm에서 상온 면저항이 200 Ω/□ 이하인 것인,적외선 투과 전도체
11 11
제1항에 있어서,상기 적외선 투과 전도체는, 상기 강상관전자계 산화물의 전자 사이의 강한 작용에 의해 페르미 에너지 근처에서 플라즈마 에너지가 25 meV 이하의 에너지 간격이 존재하는 것인,적외선 투과 전도체
12 12
기판 상에 전이금속 산화물을 포함하는 강상관전자계 산화물을 형성하는 단계를 포함하는,적외선 투과 전도체의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 기판은, SrTiO3, YSZ, MgO, 페로브스카이트 산화물, Al2O3, SiO2 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,적외선 투과 전도체의 제조방법
14 14
제12항에 있어서,상기 기판 상에 강상관전자계 산화물이 형성된 결정면은, (001), (010), (003) 및 (100)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,적외선 투과 전도체의 제조방법
15 15
제12항에 있어서,상기 기판은 (001)SrTiO3 기판이고, 상기 강상관전자계 산화물은, SrMoO3인 것인,적외선 투과 전도체의 제조방법
16 16
제12항에 있어서,상기 기판 상에 강상관전자계 산화물을 형성하는 단계는,펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition; PLD), 펄스 레이저 에피택시(pulsed laser epitaxy), 분자선 에피택시 증착법(Molecular Beam Epitaxy; MBE), 스퍼터(sputter), 원자층증착(atomic layer deposition; ALD) 및 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,적외선 투과 전도체의 제조방법
17 17
제12항에 있어서,상기 기판 상에 강상관전자계 산화물을 형성하는 단계는,20 mTorr 내지 100 mTorr의 산소 분압() 및 300 ℃ 내지 600 ℃의 기판 온도 범위에서 수행하는 것인,적외선 투과 전도체의 제조방법
18 18
전이금속 산화물을 포함하는 강상관전자계 산화물을 포함하는 적외선 투과 전도체를 포함하는 적외선 투과 제품
19 19
제18항에 있어서,상기 적외선 투과 제품은, 군사용 무기, 스마트 윈도우, 투명 태양전지, 적외선 센서, 자동차, 건축물의 외장재, 기능성 광학렌즈, 광집적 소자, 광변색 필터, 위조방지용 카드, 광디스크 및 광기록매체로 이루어진 군에서 선택되는 것인,적외선 투과 제품
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.