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플라즈마 상태를 유지하는 내부공간이 구비된 플라즈마 챔버와, 상기 내부공간의 상부에 형성되는 상부전극과, 상기 내부공간의 하부에 설치되어 플라즈마 공정을 위한 웨이퍼가 안착되도록 마련되되 내부에 상호 절연된 제1 하부 전극 및 제2 하부 전극이 구비된 정전척을 포함하는 플라즈마 공정 장비를 이용한 플라즈마 공정용 이온에너지 제어 장치에 있어서,제1 RF 전압을 생성하여 상기 상부 전극에 공급하는 제1 전원부;소정 주파수를 가지는 사인파형의 제2 RF 전압을 생성하여 상기 제1 하부 전극에 공급하는 제2 전원부;바이어스 전압과 소정 주파수의 펄스 전압을 각각 생성하여 상기 제2 하부 전극에 공급하는 제3 전원부; 및상기 제2 RF 전압과 상기 제2 RF 전압 파형에 대응하는 신호 파형을 가지는 상기 펄스 전압을 동시 또는 순차적으로 공급하도록 상기 제2 전원부 및 상기 제3 전원부를 제어하는 전원 제어부;를 포함하며,상기 펄스 전압의 공급 시점 이전에는 상기 내부공간에서의 상기 제1 RF 전압 파형, 상기 제2 RF 전압 파형 및 상기 바이어스 전압 파형에 기초한 플라즈마 발생에 따른 이온에너지 분포에 있어서 영전위에 대응되는 제1 이온에너지값부터 이온개수의 제1 피크값이 나타나는 이온에너지값 이후의 기 설정된 제1 임계값 이하의 이온개수를 가지는 제2 이온에너지값까지의 제1 이온에너지구간을 가지고,상기 펄스 전압의 공급 시점 이후에는 상기 내부공간에 상기 펄스 전압을 더 인가함에 따른 플라즈마 발생에 따른 이온에너지 분포에 있어서 상기 제1 임계값보다는 큰 이온개수들을 가지는 상기 제2 이온에너지값 이상의 제2 이온에너지구간을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 이온에너지 제어 장치
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제1항에 있어서,상기 제2 이온에너지구간에 속하며 이온개수가 상기 제2 이온에너지구간의 이온개수의 평균 피크값보다 기 설정된 배수 이상으로 더 큰 제2 피크값을 가지는 제3 이온에너지값이 상기 제2 이온에너지구간의 종단에 대응되는 기 설정된 이온에너지값 범위의 최고 이온에너지 영역에 나타나는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 이온에너지 제어 장치
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제2항에 있어서,상기 제2 RF 전압의 크기와 상기 펄스 전압의 크기, 듀티비 및 램프비 중 적어도 하나를 조절하여 상기 제3 이온에너지값 또는 상기 제2 피크값을 변경함에 따라, 상기 제1 이온에너지구간 및 상기 제2 이온에너지구간 각각에 대한 이온에너지값별 이온개수의 분포 정도를 변경 제어하는 이온에너지 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 이온에너지 제어 장치
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제3항에 있어서,상기 이온에너지 제어부는,플라즈마 전위에 기초한 상기 제2 이온에너지값이 기 설정된 기준 에너지값에 도달할 때까지 상기 제2 RF 전압 및 상기 펄스 전압을 동시에 증가시키도록 상기 전원 제어부를 제어함에 따라 상기 제3 이온에너지값이 증가되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 이온에너지 제어 장치
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제3항에 있어서,상기 이온에너지 제어부는,상기 펄스 전압의 크기 또는 듀티비를 조절하여 상기 제3 이온에너지값의 이온개수에 대응되는 상기 제2 피크값을 조절함에 따라, 상기 제2 이온에너지구간에 속하는 이온개수에 따른 제2 이온밀도가 증가되도록 하거나 또는 상기 제1 이온에너지구간에 속하는 이온개수에 따른 제1 이온밀도가 감소되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 이온에너지 제어 장치
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제4항에 있어서,상기 이온에너지 제어부는,소정 시간 동안 공급되는 상기 펄스 전압의 듀티비 및 램프비를 조절함에 따라 상기 제1 이온에너지구간의 이온개수의 피크값이 기 설정된 제2 임계값 이하로 감소하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 이온에너지 제어 장치
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제3항에 있어서,상기 이온에너지 제어부는,상기 제1 이온에너지구간 및 상기 제2 이온에너지구간 각각에 대한 이온개수의 분포 정도를 제어함에 있어서, 상기 제2 RF 전압의 주파수에 대한 상기 펄스 전압의 주파수의 비가 기 설정된 기준값보다 작게 설정되도록 상기 제2 RF 전압 및 상기 펄스 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정용 이온에너지 제어 장치
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