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전도성 기판;상기 전도성 기판 상의 페로브스카이트를 포함하는 광전 변환층;상기 광전 변환층 상의 제1 금속층;상기 제1 금속층 상의 액상 금속층;상기 액상 금속층 상의 제2 금속층; 및상기 제2 금속층 상에 배치되고, 2차원 전이금속 디칼코겐 화합물을 포함하는 촉매층을 포함하는 광전기화학 소자
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제1 항에 있어서,상기 전도성 기판, 상기 광전 변환층, 상기 제1 금속층, 상기 액상 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 촉매층이 적층된 적층 구조체가 정의되고,상기 적층 구조체의 측면, 상기 적층 구조체의 상부면의 가장자리, 및 상기 적층 구조체의 하부면의 가장자리를 밀봉하는 수지 구조체를 더 포함하되,상기 수지 구조체로 밀봉되지 않은 상기 적층 구조체의 상기 하부면의 중앙부 및 상기 적층 구조체의 상기 상부면의 중앙부는 노출되는 것을 포함하는 광전기화학 소자
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제1 항에 있어서,상기 촉매층은 MoS2를 포함하는 광전기화학 소자
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제3 항에 있어서,상기 2차원 전이금속 디칼코겐 화합물이, 엣지 플레인(edge plane)을 포함하는 광전기화학 소자
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제3 항에 있어서,상기 촉매층의 두께는 10 nm 초과 40 nm 미만인 것을 포함하는 광전기화학 소자
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전도성 기판을 준비하는 단계;상기 전도성 기판 상에 페로브스카이트를 포함하는 광전 변환층을 형성하는 단계;상기 광전 변환층 상에 제1 금속층을 형성하는 단계;상기 제1 금속층 상에 액상 금속을 도포하여 액상 금속층을 형성하는 단계;제2 금속층 상에 2차원 전이금속 디칼코겐 화합물을 포함하는 촉매층을 증착시키는 단계; 및상기 촉매층이 증착된 상기 제2 금속층을, 상기 액상 금속층 상에 적층시키는 단계를 포함하는 광전기화학 소자의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 금속층 상에 상기 액상 금속을 도포하여 상기 액상 금속층을 형성하는 단계는,상기 제1 금속층 상에 상기 액상 금속을 도포하는 단계, 및도포된 상기 액상 금속을 일부 흡입하고 나머지 일부를 잔존시켜 상기 액상 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 광전기화학 소자의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제2 금속층 상에 상기 촉매층을 증착시키는 단계는,상기 제2 금속층 상에 상기 전이금속 디칼코겐 화합물을 펄스 레이저 증착하는 단계를 포함하는 광전기화학 소자의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 제2 금속층 상에 상기 전이금속 디칼코겐 화합물을 펄스 레이저 증착하는 단계는,레이저 펄스 수가 1000 회 초과 6000 회 미만인 것을 포함하는 광전기화학 소자의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 전도성 기판, 상기 광전 변환층, 상기 제1 금속층, 상기 액상 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 촉매층이 적층된 적층 구조체의 측면, 상기 적층 구조체의 상부면의 가장자리, 및 상기 적층 구조체의 하부면의 가장자리를 밀봉하는 수지 구조체를 형성하는 단계를 더 포함하는 광전기화학 소자의 제조 방법
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