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제1 산화물 기판 상부에 형성된 제1 반도체 조각;상기 제1 반도체 조각 위에 적층되어 형성된 제2 반도체 조각; 및상기 제1 반도체 조각 및 상기 제2 반도체 조각 사이에 형성된 중간층을 포함하며,상기 중간층은 상기 제2 반도체 조각의 일면에서 소정 시간 자연 산화되어 형성된 자연 산화막인, 터널링 소자
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제1 항에 있어서상기 제1 반도체 조각은,상기 제1 산화물 기판 상부에 스탬프를 이용하여 형성되고,상기 제2 반도체 조각은,상기 제1 산화물 기판과 다른 제2 산화물 기판의 상부에 형성된 상태에서, 상기 스탬프와 유기 필름을 이용하여 상기 제1 반도체의 상부에 적층되는, 터널링 소자
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제2 항에 있어서,상기 스탬프는 PDMS(polydimethysiloxane) 스탬프이고,상기 유기 필름은 PPC(propylene carbonate)인 것을 특징으로하는, 터널링 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 반도체 조각은, MX2 분자 구조 계열의 전이 금속 다이칼코겐 물질들 중 어느 하나인, 터널링 소자
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제4 항에 있어서,상기 전이 금속 상기 다이칼코겐 물질들은,MoS2, WSe2, MoTe2, WS2, MoSe2, ReS2, ReSe2 및 WTe2 중 어느 하나인, 터널링 소자
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제1 항에 있어서,상기 제2 반도체 조각은,상기 자연 산화가 15분 이내 발생하는 물질인 것을 특징으로 하는, 터널링 소자
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7
제1 항에 있어서상기 제2 반도체 조각은,HfS2, MoS2, BP, HfSe2, HfTe5, HfTe2, ZrS2, ZrSe2, ZrTe2, ZrS3, ZrS5 및 ZrTe3 중 어느 하나의 물질인, 터널링 소자
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제1 항에 있어서,상기 중간층의 두께는 1 나노미터(nm) 내지 2 나노미터(nm) 사이의 값을 갖는, 터널링 소자
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스탬프를 이용하여 제1 산화물 기판의 상부에 제1 반도체 조각을 제조하는 단계;상기 스탬프를 이용하여 제2 산화물 기판의 상부에 제2 반도체 조각을 제조하는 단계;상기 제2 반도체 조각을 유기 필름을 이용하여 픽업하고, 상기 제2 반도체 조각을 소정 시간 방치하여 상기 제2 반도체 조각의 일면을 자연 산화시켜 자연 산화막을 생성시키는 단계;상기 제1 반도체 조각의 상부에 상기 자연 산화된 제2 반도체 조각을 접합시키는 단계;상기 유기 필름을 제거하는 단계;상기 제1 산화물 기판의 상부에 접합된 상기 제1 반도체 조각 및 상기 제2 반도체 조각에 대해 PR 패터닝 후 금속을 장착하는 단계;상기 패터닝된 PR을 제거하는 lift-off를 실행하는 단계를 포함하는, 터널링 소자 제작 방법
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제9 항에 있어서,상기 lift-off 이후에, I-V특성을 측정하여 부계 미분 저항 특성을 측정하는, 터널링 소자 제작 방법
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제9 항에 있어서,상기 제1 반도체 조각의 상부에 상기 자연 산화된 제2 반도체 조각이 접합될 경우, 상기 자연 산화막이 중간층으로 형성되는, 터널링 소자 제작 방법
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