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그래핀을 적용한 유연 CIGS계 박막 태양전지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022017255
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀을 적용한 유연 CIGS계 박막 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 구리 포일 위에 그래핀을 직접 성장시켜 후면전극을 형성한다. 그리고 후면전극 위에 CIGS계 화합물로 CIGS계 광흡수층을 형성한다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/046 (2014.01.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/03928(2013.01) H01L 31/046(2013.01) Y02E 10/541(2013.01)
출원번호/일자 1020210024976 (2021.02.24)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0121293 (2022.09.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.02.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 전라북도 전주시 덕진구
2 엄대영 전라북도 전주시 덕진구
3 홍가은 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2021-0225261-83
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2021-5199350-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
구리 포일;상기 구리 포일 위에 직접 성장된 그래핀 소재의 후면전극; 및상기 후면전극 위에 CIGS계 화합물로 형성된 CIGS계 광흡수층;을 포함하는 유연 CIGS계 박막 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 후면전극은 단일층 그래핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 CIGS계 박막 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 CIGS계 광흡수층은 Cu(In1-xGax)Se2(0003c#x003c#1)의 CIGS계 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 유연 CIGS계 박막 태양전지
4 4
구리 포일 위에 그래핀을 직접 성장시켜 후면전극을 형성하는 단계; 및상기 후면전극 위에 CIGS계 화합물로 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 유연 CIGS계 박막 태양전지의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 후면전극을 형성하는 단계에서,메탄을 분해하여 그래핀을 상기 기판 위에 성장시키는 것을 특징으로 하는 유연 CIGS계 박막 태양전지의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 후면전극을 형성하는 단계에서,상기 후면전극은 단일층 그래핀으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 CIGS계 박막 태양전지의 제조 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계에서,상기 CIGS계 광흡수층은 Cu(In1-xGax)Se2(0003c#x003c#1)의 CIGS계 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 CIGS계 박막 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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