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GaN 나노와이어를 적용한 CIGS계 태양전지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022017256
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaN 나노와이어를 적용한 CIGS계 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 CIGS계 태양전지는 기판 위에 후면전극이 형성된다. 후면전극 위에 CIGS계 화합물로 CIGS계 광흡수층이 형성된다. 그리고 CIGS계 광흡수층 위에 GaN 나노와이어를 분산시켜 GaN 나노와이어층을 형성한다. 본 발명에 따른 CIGS계 태양전지는 CIGS계 광흡수층을 통하여 400nm 대역 이상의 광을 흡수하고, GaN 나노와이어층을 통하여 300 내지 400nm 대역의 광을 흡수함으로써, 태양광의 광흡수율을 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/18(2013.01) Y02E 10/541(2013.01)
출원번호/일자 1020210024981 (2021.02.24)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0121295 (2022.09.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.02.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 전라북도 전주시 덕진구
2 홍가은 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2021-0225308-30
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2021-5199350-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 형성된 후면전극;상기 후면전극 위에 CIGS계 화합물로 형성된 CIGS계 광흡수층; 및상기 CIGS계 광흡수층의 상부면 및 하부면 중에 적어도 하나의 면에 GaN 나노와이어가 분산되어 형성된 GaN 나노와이어층;을 포함하는 CIGS계 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 GaN 나노와이어층은 상기 CIGS계 광흡수층에 상기 GaN 나노와이어를 수평 방향으로 분산되어 형성된 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 GaN 나노와이어층은 태양광 중 300 내지 400nm의 파장 대역을 흡수하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 GaN 나노와이어층은 상기 CIGS계 광흡수층의 상부면에 형성된 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 GaN 나노와이어층의 GaN 나노와이어는 직경이 0
6 6
기판 위에 후면전극을 형성하는 단계;상기 후면전극 위에 CIGS계 화합물로 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 CIGS계 광흡수층 위에 GaN 나노와이어를 분산시켜 GaN 나노와이어층을 형성하는 단계;를 포함하는 CIGS계 태양전지의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 GaN 나노와이어층을 형성하는 단계에서,상기 CIGS계 광흡수층 위에 GaN 나노와이어를 수평 방향으로 분산시켜 상기 GaN 나노와이어층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 GaN 나노와이어층을 형성하는 단계는,GaN 나노와이어를 제조하는 단계;상기 GaN 나노와이어가 분산된 GaN 나노와이어 분산액을 제조하는 단계; 및상기 GaN 나노와이어 분산액을 상기 CIGS계 광흡수층 위에 코팅하여 상기 GaN 나노와이어층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 GaN 나노와이어를 제조하는 단계는,실리콘 기판 위에 금 나노입자를 증착하여 금층을 형성하는 단계;상기 금층 위에 TMGa를 증착시켜 AuxGay의 나노액적(Nanodroplet)을 형성하는 단계;상기 나노액적을 어닐링하는 단계;어닐링된 나노액적에 TMGa와 NH3를 펄스 플로우 모드에서 증착시켜 언도프된 GaN 씨드를 형성하는 단계;상기 언도프된 GaN 씨드를 열처리하여 상기 실리콘 기판 위에 GaN 나노와이어를 형성하는 단계; 및상기 실리콘 기판으로부터 상기 GaN 나노와이어를 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.