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기재를 준비하는 단계; 및 기재 상에 질화물계 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 질화물계 반도체층 상에 다중양자우물층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 질화물계 반도체층을 형성하는 단계는, 원자층 증착법을 이용하고, 산소를 포함하는 반응 가스를 공급하면서 질화물계 반도체를 성장시키는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질화물계 반도체층을 형성하는 단계는, 300 ℃ 내지 1000 ℃ 온도 및 상압 내지 10-8 torr 압력에서 이루어지는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산소는, O2, O3 또는 이 둘을 포함하고, 상기 산소는, 반응 챔버 내에 5 sccm 내지 1000 sccm 유량으로 공급되는 것인,다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질화물계 반도체층을 형성하는 단계는, 반응 챔버 내에서 기재 상에 전구체를 접촉시켜 III족 질화물 반도체를 형성하고, 상기 반응 챔버 내에 산소를 포함하는 반응 가스를 공급하면서 ELOG (epitaxial lateral overgrowth) 방식으로 상기 III족 질화물 반도체를 성장시키는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질화물계 반도체층을 형성하는 단계는, III족 질화물 반도체의 III족 원소의 산화물, III족 질화물 반도체의 III족 원소의 산질화물 또는 이 둘이 형성되고 성장되는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질화물계 반도체층을 형성하는 단계는,N-페이스(face) III족 질화물 반도체 및 III족 원소-페이스 III족 질화물 반도체가 생성되고,상기 N-페이스 III족 질화물 반도체 및 III족 원소- 페이스 III족 질화물 반도체 사이 에IDB(inversion domain boundary)가 형성되는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 IDB는, 큐빅 결정 구조를 포함하는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질화물계 반도체층을 형성하는 단계에서 III족 질화물 반도체는, 원기둥, 다각기둥 또는 이 둘의 형상의 결정을 포함하는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 III족 질화물 반도체는,Al-함유 III족 질화물 반도체인 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질화물계 반도체층 상에 다중양자우물층을 형성하는 단계는, 원자층 증착법으로 다중양자우물층을 형성하는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다중양자우물층을 형성하는 단계는, 원자층 증착법을 이용하고, 300 ℃ 내지 1100 ℃ 온도 및 상압 내지 10-8 torr 압력에서 이루어지는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다중양자우물층은, AlGaN/GaN, InGaN/GaN 또는 이 둘을 포함하는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법
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질화물계 반도체층; 및 상기 질화물계 반도체층 상에 형성된 다중양자우물층;을 포함하고, 상기 질화물계 반도체층은, III족 질화물 반도체; 및 III족 질화물 반도체의 III족 원소의 산화물, III족 질화물 반도체의 III족 원소의 산질화물 또는 이 둘;을 포함하는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막
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제13항에 있어서,상기 질화물계 반도체층의 두께는, 1 nm 내지 10 ㎛인 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막
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제13항에 있어서,상기 질화물계 반도체층은, 상기 III족 질화물 반도체의 결정 사이로 III족 질화물 반도체의 III족 원소의 산화물, III족 질화물 반도체의 III족 원소의 산질화물 또는 이 둘;이 국부적으로 분포하는 것인, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막
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제13항의 다중양자우물 구조를 포함하는 박막;을 포함하는, 반도체 소자
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