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기판;상기 기판의 상면에 삽입되어 배치되되, 상면이 노출되는 제1 전극;상기 제1 전극과 수평방향으로 이격되고, 상기 기판의 상면에 삽입되어 배치되되, 상면이 노출되는 제2 전극;노출된 상기 제1 전극의 상면에 적층되는 제1 하드 마스크;노출된 상기 제2 전극의 상면에 적층되는 제2 하드 마스크;상기 기판에 일부가 삽입되어 배치되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극, 상기 제1 하드 마스크와 상기 제2 하드 마스크 사이에 위치하는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 상기 제1 전극 사이, 상기 게이트 전극과 상기 제1 하드 마스크 사이, 상기 게이트 전극과 상기 제2 전극 사이, 상기 게이트 전극 및 상기 제2 하드 마스크 사이에 배치되는 게이트 절연층;을 포함하는 함몰 채널 전계 효과 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트 전극과 접하는 상기 게이트 절연층은,상기 제1 하드 마스크 및 상기 제2 하드 마스크와 접하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 함몰 채널 전계 효과 트랜지스터
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 제1 전극 사이 또는 상기 게이트 전극과 상기 제2 전극 사이에는, 상기 게이트 절연층과 상기 기판이 배치되는 것을 특징으로 하는 함몰 채널 전계 효과 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 제1 하드 마스크 및 상기 제2 하드 마스크 사이에 배치되는 상기 게이트 전극의 너비는,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 상기 게이트 전극의 너비보다 긴 것을 특징으로 하는 함몰 채널 전계 효과 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 제1 하드 마스크 및 상기 제2 하드 마스크 사이에 배치되는 상기 게이트 전극의 깊이는,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 상기 게이트 전극의 깊이보다 짧은 것을 특징으로 하는 함몰 채널 전계 효과 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 기판에 삽입되는 상기 게이트 전극의 깊이는,상기 제1 전극의 깊이 또는 상기 제2 전극의 깊이보다 긴 것을 특징으로 하는 함몰 채널 전계 효과 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트 전극은,알파벳 "T" 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 함몰 채널 전계 효과 트랜지스터
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함몰 채널 전계 효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서,기판에 더미 게이트(dummy gate)를 증착하는 단계;증착된 상기 더미 게이트를 패터닝하는 단계;상기 더미 게이트와 감광막(photo resist: PR)을 활용하여 제1 전극과 제2 전극을 도핑하는 단계;도핑된 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 하드 마스크(hard mask)를 증착하는 단계; 증착된 상기 하드 마스크(hard mask)를 평탄화하는 단계; 평탄화된 상기 하드 마스크에서 외부로 노출된 상기 더미 게이트를 선택적으로 제거하는 단계;제거된 상기 더미 게이트의 영역에 증착과 식각을 이용하여 측벽 영역(sidewall spacer)을 형성하는 단계;상기 측벽 영역 사이에 배치되는 상기 기판을 식각하는 단계;상기 측벽 영역을 제거하는 단계;식각된 상기 기판과 제거된 상기 측벽 영역에 게이트 절연층을 증착하는 단계;증착된 상기 게이트 절연층에 게이트 전극을 증착하는 단계; 및증착된 상기 게이트 전극을 패터닝하는 단계;를 포함하는 함몰 채널 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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