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하기 화학식 1, 2 또는 3으로 표시되는 전도성 화합물을 적층된 전도성기판
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제 1 항에 있어서,상기 전도성기판과 전도성 화합물과의 사이에 증착된 통전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성기판
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 화합물은 자기조립 단분자막 특성(Self-Assembled Monolayer : SAM)을 나타내는 것을 특징으로 하는 전도성기판
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 화합물은 정공전달물질인 것을 특징으로 하는 전도성기판
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 화합물은 쌍극자 모멘트의 값이 0
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제 1 내지 5 항 중 어느 한 항의 전도성기판에 페로브스카이트층을 더 적층한 것을 특징으로 하는 이용한 페로브스카이트 기판
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7
제 6 항의 페로브스카이트 기판을 포함하는 태양전지
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8
청구항 1항의 화학식 2로 표시되는 전도성 화합물을 적층된 전도성기판을 제조하는 방법에 있어서, 10-(2-브로모에틸)-10H-페노티아진(10-(2-bromoethyl)-10H-phenothiazine)을 합성한 후 3,7-디브로모-10-(2-브로모에틸)-10H-페노티아진(3,7-dibromo-10-(2-bromoethyl)-10H-phenothiazine)을 합성하고, 디에틸 [2-(3,7-디브로모-10H-페노티아진-10-yl)]인산염 (diethyl [2-(3,7-dibromo-10H-phenothiazin-10-yl)ethyl]phosphonate)을 합성한 후 2-4
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제 8 항에 있어서,상기 10-(2-Bromoethyl)-10H-phenothiazine의 합성은 피노시아진과 1,2-chloroethanol로 반응 후 말단 알콜기를 브롬화시키는 것을 특징으로 하는 전도성기판의 제조방법
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청구항 1 항의 화학식 3으로 표시되는 전도성 화합물을 적층된 전도성기판을 제조하는 방법에 있어서, 10-(2-브로모에틸)-10H-페노티아진(10-(2-bromoethyl)-10H-phenothiazine)를 ㅎt성합성한 후 3,7-디브로모-10-(2-브로모에틸)-10H-페노티아진(3,7-dibromo-10-(2-bromoethyl)-10H-phenothiazine)을 합성하고, 2-3
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제 10 항에 있어서,상기 10-(2-Bromoethyl)-10H-phenothiazine의 합성은 피노시아진과 1,2-chloroethanol로 반응 후 말단 알콜기를 브롬화시키는 것을 특징으로 하는 전도성기판의 제조방법
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