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제1면 및 제2면을 갖는 기판;상기 기판의 제1면에 형성된 반도체 층;상기 기판의 제1면 및 제2면 중 적어도 한 면에 형성된 hBN 층; 및 상기 기판의 제2면에 위치한 히트싱크를 포함하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 hBN 층은 상기 기판의 제1면에 형성되되,상기 제1면에 형성된 hBN 층은 상기 기판의 제1면과 상기 반도체 층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 hBN 층은 상기 기판의 제2면에 형성되되,상기 제2면에 형성된 hBN 층은 상기 기판의 제2면과 상기 히트싱크 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 hBN 층은 상기 기판의 제1면 및 제2면에 형성되되,상기 제1면에 형성된 hBN 층은 상기 기판의 제1면과 상기 반도체 층 사이에 형성되고, 상기 제2면에 형성된 hBN 층은 상기 기판의 제2면과 상기 히트싱크 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 hBN 층은 단층 및 다층 구조 중 하나인 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 hBN 층은 다수의 hBN 영역; 및 상기 다수의 hBN 영역들 사이에 위치한 다수의 절연영역을 포함하여,상기 다수의 hBN 영역과 상기 다수의 절연영역이 기판면 상에서 횡으로 배치된 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체 층은 2족, 3족, 4족, 및 5족 원자 중 하나가 포함된 재료로 제조된 광전반도체인 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체 층은 벌크(Bulk), 박막(Film), 양자우물(Quantum well), 나노세선(Nano wire), 및 양자점(Quantum dot) 구조 중 하나로 제조된 광전반도체인 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체 층은 징크가 산소 또는 셀레나이드와 결합하여 구성된 화합물, 및 알류미늄, 갈륨, 또는 인듐이 질소, 비소, 또는 인과 결합하여 구성된 화합물 중 하나의 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 hBN 층은 단결정 구조 및 다결정 구조 중 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 hBN 층은 전사 기법에 의해 상기 기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 hBN 층의 두께는 10 Å 내지 200 nm 인 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 히트싱크는 금속 및 세라믹 계열의 재료 중 하나의 재료로 제작되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자
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제1면 및 제2면을 갖는 기판의 제1면에 반도체 층을 형성하고;상기 기판의 제1면 및 제2면 중 적어도 한 면에 hBN 층을 형성하고; 상기 기판의 제2면에 히트싱크를 부착하는 것을 포함하는, hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 hBN 층 형성시에상기 hBN 층은 상기 기판의 제1면과 상기 반도체 층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 hBN 층 형성시에상기 hBN 층은 상기 기판의 제2면과 상기 히트싱크 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 hBN 층 형성시에상기 hBN 층은 상기 기판의 제1면과 상기 반도체 층 사이에 그리고 상기 기판의 제2면과 상기 히트싱크 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 hBN 층 형성시에 절연영역을 사이에 두고 다수의 hBN 영역이 기판면 상에서 횡으로 배치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 hBN 층의 형성시에 상기 hBN 층은 전사 기법에 의해 상기 기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 hBN 층의 형성시에 상기 hBN 층은 두께가 10 Å 내지 200 nm 로 형성되는 것을 특징으로 하는 hBN을 이용한 고방열성 반도체 소자 제조방법
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