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기판;상기 기판의 상단면에 이온주입에 의해 형성되며 일부에 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 접촉 영역이 형성되는 에피층;상기 오믹 접촉 영역에 증착되어 형성되는 오믹 금속층;소스 오믹 전극과 드레인 오믹 전극 사이에서 전류가 흐르는 활성영역;상기 활성영역에 형성되는 게이트 전극; 및상기 활성영역 및 상기 오믹 접촉 영역에 전류의 흐름과 나란한 방향으로 형성된 요철구조를 포함하고,상기 오믹 접촉 영역에 형성된 상기 요철구조 중 상기 게이트 전극에 가까운 경계를 따라 접촉저항을 감소시키는데 유효한 접촉 영역(transfer length)을 포함하여 오믹 접촉저항을 감소시키는 것을 특징으로 하고,상기 활성영역에 형성된 상기 요철구조에 fin 형태의 상기 게이트 전극을 형성하여 제작되는 것을 특징으로 하는 FinFET 구조의 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소자
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제 1 항에 있어서,상기 요철 구조는 전류가 흐르는 방향의 경계면을 포함하는 영역에 형성되고, 상기 오믹 접촉 영역의 경계면에 수직하게 형성되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 2 항에 있어서,상기 요철 구조는 접촉저항을 낮추도록 상기 경계면에 미리 설정되는 전달 길이(transfer length) 영역을 포함하는 요철인 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 오믹 접촉 영역은 도핑 영역에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 오믹 접촉 영역은 도핑 영역보다 작도록 형성되어, 상기 오믹 접촉 영역이 모두 상기 도핑 영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 5 항에 있어서,상기 요철 구조는 상기 도핑 영역으로 도핑된 깊이보다 얕고, 전자주행층의 깊이보다는 깊은 요철을 갖는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 요철 구조는 플라즈마 식각만 이용하거나 플라즈마 식각 및 습식 식각 모두를 이용하여 형성되는 표면 굴곡인 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 에피층의 재질은 AlGaN, GaN 및 InAlN 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 오믹 금속층은 증착 후 500℃ 이하에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 요철 구조는 상기 게이트 전극의 세로축을 기준으로 가로방향으로 상기 오믹 접촉 영역의 경계면을 돌출하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 요철 구조는 상기 게이트 전극이 형성되는 활성영역을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 요철 구조 상에 절연막을 형성하여 패시베이션을 하는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극이 형성되는 부분에 절연막을 제거하여 Schottkey 다이오드 형태의 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1항에 있어서,상기 게이트 전극이 형성되는 부분에 게이트 절연막을 형성하여 MOS(metal oxide semiconductor) 혹은 MIS(metal insulator semiconductor) 형태의 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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(a) 상단면에 에피층이 형성되는 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 에피층의 일부에 이온주입을 통하여 오믹(ohmic) 접촉을 위한 Si 이온주입영역을 형성하는 단계; (c) 상기 에피층 전체에 오믹 접촉 영역을 증가시키고 FinFET 구조를 형성하기 위한 요철 구조를 형성하는 단계; 및(d) 상기 오믹 접촉 영역에 오믹 금속층을 증착 형성하고 500℃ 이하의 온도에서 열처리 하는 단계; 및(e) 상기 오믹 접촉 영역 이외의 상기 에피층인 활성 영역에 게이트 전극을 형성하여 FinFET 구조를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자의 제조 방법
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