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개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2022017636
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합계면 패시베이션을 구현함으로써 효율을 향상시킬 수 있는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 이를 위하여, 본 발명에 따른 태양전지는 아래와 같은 구조로 이루어진다. 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면전극 위에 형성된 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 이종접합계면 패시베이션층; 상기 이종접합계면 패시베이션층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 이루어지는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지.
Int. CL H01L 31/0749 (2012.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) Y02E 10/541(2013.01)
출원번호/일자 1020210030536 (2021.03.09)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0126375 (2022.09.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.03.09)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박주형 대전광역시 유성구
2 윤재호 대전광역시 서구
3 조준식 대전광역시 유성구
4 곽지혜 대전광역시 유성구
5 안세진 대전광역시 유성구
6 조아라 대전광역시 유성구
7 유진수 대전광역시 중구
8 안승규 대전광역시 서구
9 어영주 대전광역시 유성구
10 김기환 대전광역시 유성구
11 신동협 대전광역시 유성구
12 정인영 충청북도 청주시 흥덕구
13 송수민 대전광역시 유성구
14 이상민 대전광역시 유성구
15 이아름 대전광역시 유성구
16 황인찬 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한)유일하이스트 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **, **층(대치동, 시몬타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2021-0274262-66
2 보정요구서
Request for Amendment		 2021.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0040076-97
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2021-0407624-77
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2021-5315595-36
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면전극 위에 형성된 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 이종접합계면 패시베이션층;상기 이종접합계면 패시베이션층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 전면전극을 포함하여 이루어지는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지
2 2
기판; 상기 기판 위에 형성된 전면전극; 상기 전면전극 위에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 이종접합계면 패시베이션층;상기 이종접합계면 패시베이션층 위에 형성된 광흡수층; 및 상기 광흡수층 위에 형성된 후면전극을 포함하여 이루어지는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 광흡수층이 칼코지나이드 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지
4 4
청구항 3에 있어서,상기 칼코지나이드 흡수층이 CIGSe인 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 버퍼층이 ZnOS, ZnSnO 및 ZnMgO로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지
6 6
청구항 5에 있어서,상기 이종접합계면 패시베이션층이 ZnS 나노층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지
7 7
청구항 5에 있어서,상기 버퍼층이 ZnOS를 포함하여 이루어지며, 상기 ZnOS 버퍼층의 두께가 5~30nm인 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지
8 8
청구항 6에 있어서,상기 ZnS 나노층의 두께가 3~20nm인 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지
9 9
기판 위에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면전극 위에 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 이종접합계면 패시베이션층을 형성하는 단계; 상기 이종접합계면 패시베이션층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 위에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지 제조방법
10 10
기판 위에 전면전극을 형성하는 단계; 상기 전면전극 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 이종접합계면 패시베이션층을 형성하는 단계; 상기 이종접합계면 패시베이션층 위에 광흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광흡수층 위에 후면전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지 제조방법
11 11
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서, 상기 광흡수층이 칼코지나이드 흡수층인 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지 제조방법
12 12
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서, 상기 버퍼층이 ZnOS, ZnSnO 및 ZnMgO로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지 제조방법
13 13
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서, 상기 이종접합계면 패시베이션층이 ZnS 나노층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지 제조방법
14 14
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서, 상기 이종접합계면 패시베이션층 및 상기 버퍼층이 원자층증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지 제조방법
15 15
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서, 포스트 어닐링을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 버퍼층 구조를 포함하는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국에너지기술연구원 한국에너지기술연구원연구운영비지원(R＆D)(주요사업비) 세대 융합형 화합물/실리콘 다중접합 태양전지 기술
2 과학기술정보통신부 한국에너지기술연구원 기후변화대응기술개발(R＆D) 폴리머 기판 적용 R2R 공정기반 고효율 플렉서블 CIGS 박막 태양전지 개발