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페로브스카이트 구조의 코어층; 및Si-0-Si 결합을 포함하는 쉘층을 포함하고, 상기 쉘층은 Si 원소에 C1-C6 알킬기, C1-C6 알케닐기 또는 C1-C6 알카이닐기가 결합된, 코어쉘 구조의 퀀텀닷
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제 1 항에 있어서, 상기 쉘층에서 Si 원소에 한 개의 C1-C6 알킬기, C1-C6 알케닐기 또는 C1-C6 알카이닐기가 결합된, 코어쉘 구조의 퀀텀닷
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제 1 항에 있어서, 상기 쉘층에서 Si 원소에 한 개의 메틸기(-CH3)가 결합된, 코어쉘 구조의 퀀텀닷
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제 1 항에 있어서, 상기 페로브스카이트 구조의 코어층은 하기 화학식 1로 표시되는,코어쉘 구조의 퀀텀닷:[화학식 1]ABX3-nX'n(상기 화학식 1에서, A는 유기암모늄, 유기아미디늄 및 알칼리 금속 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상이고, B는 2가의 전이금속, 희토류금속, 알칼리토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po 및 유기물질 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상이고, X 및 X'는 서로 독립적으로 F, Cl, Br 및 I 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상이고, 0 ≤ n ≤ 3 이다)
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제 1 항에 있어서, 광발광 양자수율(PLQY)이 95% 이상인,코어쉘 구조의 퀀텀닷
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제 1 항에 있어서, 푸리에 변환 적외선 분광법(FT-IR) 분석 결과, 각각 1040 내지 1060 cm-1 및 1258 내지 1260 cm-1 위치에서 피크를 갖는, 코어쉘 구조의 퀀텀닷
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제 1 항에 의한 코어쉘 구조의 퀀텀닷을 제조하는 방법에 있어서,제 1 할로겐 화합물, 제 2 할로겐 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 제 1 리간드를 제 1 용매에 교반하여 전구체 용액을 준비하는 단계;상기 제 1 리간드와 상이한 제 2 리간드를 포함하는 화합물을 제 2 용매에 교반하여 비용매(non-solvent)를 준비하는 단계;상기 전구체 용액 및 상기 비용매(non-solvent)를 교반하는 단계; 및상기 교반된 용액을 제 1 원심분리하여 침전물을 수득하는 단계; 를 포함하는,코어쉘 구조의 퀀텀닷 제조방법:[화학식 2](상기 화학식 2에서, R1 내지 R3은 서로 각각 독립적으로 C1-C6 알킬기, C1-C6 알케닐기 또는 C1-C6 알카이닐기)
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제 7 항에 있어서, 상기 제 1 리간드는 3-아미노프로필(디에톡시)메틸실란(3-aminopropyl(diethoxy)methylsilane)인,코어쉘 구조의 퀀텀닷 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 2 리간드는 올레산((oleic acid)인,코어쉘 구조의 퀀텀닷 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 1 용매는 극성 용매로서, DMF(Dimethylformamide), DMSO(Dimethyl sulfoxide), 아세토나이트릴, 포름아마이드, 에탄올아민, 이소프로필알콜, GBL 또는 이들의 혼합물을 포함하는,코어쉘 구조의 퀀텀닷 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 2 용매는 톨루엔, 헥산, 사이클로헥산, 클로로포름, 자일렌, 옥탄, 클로로에틸렌, 클로로벤젠 또는 이들의 혼합물을 포함하는,코어쉘 구조의 퀀텀닷 제조방법
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제 1 전극;제 2 전극; 및상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 위치하고, 상기 제 1 항의 코어쉘 구조의 퀀텀닷을 포함하는 발광층, 광활성층 또는 중간층을 포함하는,광전자소자
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