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산화이리듐이 전해 도금된 다공성 탄소 재료를 이용한 고분자 전해질 막 물 전기 분해용 애노드 및 그 제조 방법, 이를 이용한 고분자 전해질 막 물 전기 분해 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2022017673
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 친수성 다공성 탄소 재료에 IrO2 이 전해 도금된 고분자 전해질 막 물 전기 분해 용 애노드 및 그 제조 방법, 이를 이용한 고분자 전해질 막 물 전기 분해 장치 및 방법을 제공한다. 이에 따라, 고분자 전해질 막 물 전기 분해의 애노드에 사용되는 IrO2 로딩량을 낮출 수 있음에 따라 귀금속인 이리듐 사용 양을 줄일 수 있으면서도 우수한 전류 밀도(우수한 물 전기 분해 성능)을 나타낼 수 있다. 또한, 고분자 전해질 막 물 전기 분해의 애노드에 적용 시 양호한 촉매 활성을 나타낼 수 있으면서도 탄소 부식을 줄일 수 있다. 또한, 제조 과정이 매우 종래와 대비하여 단순하며 제조 비용을 크게 절감할 수 있다.
Int. CL C25B 11/075 (2021.01.01) C25B 11/065 (2021.01.01) C25B 11/031 (2021.01.01) C25B 9/23 (2021.01.01) C25B 13/08 (2006.01.01) C25B 1/04 (2022.01.01) C25D 9/06 (2006.01.01)
CPC C25B 11/075(2013.01) C25B 11/065(2013.01) C25B 11/031(2013.01) C25B 9/23(2013.01) C25B 13/08(2013.01) C25B 1/04(2013.01) C25D 9/06(2013.01) Y02E 60/36(2013.01)
출원번호/일자 1020220111111 (2022.09.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0127778 (2022.09.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2018-0107325 (2018.09.07)
관련 출원번호 1020180107325
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장종현 서울특별시 성북구
2 이병석 서울특별시 성북구
3 김형준 서울특별시 성북구
4 헨켄스마이어, 디억 서울특별시 성북구
5 유성종 서울특별시 성북구
6 김진영 서울특별시 성북구
7 류재윤 서울특별시 성북구
8 윤성필 서울특별시 성북구
9 한종희 서울특별시 성북구
10 남석우 서울특별시 성북구
11 임태훈 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 (수송동, 석탄회관빌딩)(케이씨엘특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2022.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2022-0924330-21
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번호 청구항
1 1
친수성 다공성 탄소 재료 표면에 IrO2 이 전해 도금된 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 물 전기 분해 용 애노드
2 2
제 1 항에 있어서,카본 페이퍼 표면에 IrO2 이 전해 도금된 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 물 전기 분해 용 애노드
3 3
제 2 항에 있어서,카본 페이퍼 표면이 IrO2 층 의하여 커버되고, 상기 IrO2 층에 IrO2 입자들이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 물 전기 분해 용 애노드
4 4
제 3 항에 있어서,IrO2 층은 탄소 재료 노출이 없는 구조(carbon exposure free structure)를 가지는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 물 전기 분해 용 애노드
5 5
제 3 항에 있어서,IrO2 층이 크랙이 없는 구조(crack free structure)를 가지는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 물 전기 분해 용 애노드
6 6
제 3 항에 있어서,IrO2 층의 두께는 0
7 7
제 2 항에 있어서,카본 페이퍼 상의 IrO2 로딩 양은 0
8 8
고분자 전해질 막; 상기 막의 일측에 형성된 캐소드;상기 막의 타측에 형성된 애노드를 포함하고, 상기 애노드는 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 애노드인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 물 전기 분해 단일 셀
9 9
제 8 항의 고분자 전해질 막 물 전기 분해 단일 셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 물 전기 분해 장치
10 10
친수성 다공성 탄소 재료에 IrO2 을 전해 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 물 전기 분해 용 애노드 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,카본 페이퍼에 IrO2 을 전해 도금하는 것이고, 전해 도금 시, 도금 전압 및 도금 시간 중 하나 이상을 조절하되, 도금 전압은 0
12 12
친수성 다공성 탄소 재료에 IrO2 을 전해 도금하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 물 전기 분해 용 애노드의 산화이리듐 로딩양 저감 방법
13 13
제 12 항에 있어서,전해 도금 시, 도금 전압 및 도금 시간 중 하나 이상을 조절하여 크랙 형성 및 이에 따른 탄소 노출을 방지하도록 전해 도금을 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막 물 전기 분해 용 애노드의 산화이리듐 로딩양 저감 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.