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이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022017678
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 상에 콜렉터 층, 베이스 층 및 에미터 층을 포함하는 에피 층을 형성하는 것; 상기 에피 층 상에 감광층을 도포하는 것; 상기 감광층을 이용해 에미터 전극을 형성하는 것; 상기 베이스 층 상에 베이스 전극을 형성하는 것; 및 상기 콜렉터 층 상에 콜렉터 전극을 형성하는 것; 을 포함하되, 상기 감광층을 도포하는 것은: 상기 에미터 층 상에 제1 감광층을 도포하는 것; 및 상기 제1 감광층 상에 제2 감광층을 도포하는 것; 을 포함하고, 상기 제1 감광층은 상기 에미터 층의 상면 일부를 노출시키는 제1 노출공을 제공하며, 상기 제2 감광층은 상기 제1 노출공과 연결되는 제2 노출공을 제공하되, 상기 제2 노출공의 폭은 상기 제1 노출공의 폭보다 크며, 상기 감광층을 이용해 상기 에미터 전극을 형성하는 것은 상기 제1 노출공 및 상기 제2 노출공에 전도성 물질을 채우는 것을 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/417 (2006.01.01) H01L 29/40 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/41708(2013.01) H01L 29/401(2013.01)
출원번호/일자 1020210031271 (2021.03.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0127404 (2022.09.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종민 대전시 유성구
2 민병규 세종특별자치시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2021-0281255-11
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번호 청구항
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기판 상에 콜렉터 층, 베이스 층 및 에미터 층을 포함하는 에피 층을 형성하는 것;상기 에피 층 상에 감광층을 도포하는 것;상기 감광층을 이용해 에미터 전극을 형성하는 것;상기 베이스 층 상에 베이스 전극을 형성하는 것; 및상기 콜렉터 층 상에 콜렉터 전극을 형성하는 것; 을 포함하되,상기 감광층을 도포하는 것은:상기 에미터 층 상에 제1 감광층을 도포하는 것; 및상기 제1 감광층 상에 제2 감광층을 도포하는 것; 을 포함하고,상기 제1 감광층은 상기 에미터 층의 상면 일부를 노출시키는 제1 노출공을 제공하며,상기 제2 감광층은 상기 제1 노출공과 연결되는 제2 노출공을 제공하되,상기 제2 노출공의 폭은 상기 제1 노출공의 폭보다 크며,상기 감광층을 이용해 상기 에미터 전극을 형성하는 것은 상기 제1 노출공 및 상기 제2 노출공에 전도성 물질을 채우는 것을 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원(ETRI) 정부출연금사업(기관고유사업) ICT 창의기술 개발