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세슘-납-할로겐화물(cesium lead-halide) 페로브스카이트 나노결정(perovskite nanocrystal; PeNC)이 티오시아네이트 음이온(thiocyanate anions; SCN-)으로 패시베이션된, 표면결함이 개선된 페로브스카이트 나노결정
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제1항에 있어서,상기 세슘-납-할로겐화물 페로브스카이트 나노결정은 CsPbBr3 또는 CsPbBrI2인 것을 특징으로 하는 표면결함이 개선된 페로브스카이트 나노결정
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제1항의 페로브스카이트 나노결정을 포함하는 잉크젯 프린팅용 잉크 조성물
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제3항에 있어서,톨루엔(toluene) 또는 헥산(hexane) 중 어느 하나, 광경화성 수지, 광개시제, 계면활성제 및 첨가제로 구성된 군으로부터 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크 조성물
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제4항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정, 상기 톨루엔(toluene) 또는 헥산(hexane) 중 어느 하나 및 상기 광경화성 수지는 각각 1 : 1 내지 3 : 3 내지 5 중량 비율로 배합하고,상기 광개시제는 총 잉크 중량의 1 ~ 3 중량% 배합하며,상기 계면활성제는 상기 광경화성 수지의 3 ~ 7 중량% 포함되도록 배합하고,상기 첨가제는 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜 및 글리세롤로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 상기 광경화성 수지의 5 ~ 10 중량량% 포함되도록 배합하는 것을 특징으로 하는 잉크 조성물
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제3항의 잉크 조성물을 잉크젯 프린팅된 디스플레이용 소자
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세슘-납-할로겐화물(cesium lead-halide) 페로브스카이트 나노결정(perovskite nanocrystal; PeNC) 표면에 티오시아네이트 음이온(thiocyanate anions, SCN-)으로 패시베이션시켜 패시배이션 층을 형성시키는 공정을 포함하는, 표면결함이 개선된 페로브스카이트 나노결정의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 세슘-납-할로겐화물 페로브스카이트 나노결정은 CsPbBr3 또는 CsPbBrI2인 것을 특징으로 하는 표면결함이 개선된 페로브스카이트 나노결정의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 패시배이션 층의 두께는 1 ~ 100 nm인 것을 특징으로 하는 표면결함이 개선된 페로브스카이트 나노결정의 제조방법
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제1항의 페로브스카이트 나노결정, 상기 톨루엔(toluene) 또는 헥산(hexane) 중 어느 하나 및 상기 광경화성 수지는 각각 1 : 1 내지 3 : 3 내지 5 중량 비율로 배합하고,상기 광개시제는 총 잉크 중량의 1 ~ 3 중량% 배합하며,상기 계면활성제는 상기 광경화성 수지의 3 ~ 7 중량% 포함되도록 배합하고,상기 첨가제는 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜 및 글리세롤로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 상기 광경화성 수지의 5 ~ 10 중량% 포함되도록 배합하여 잉크화하는 공정을 포함하는,잉크젯 프린팅용 잉크 조성물의 제조방법
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