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다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법, 이를 통해 제조된 다공성 실리콘계 전극 활물질 및 리튬 이차전지

  • 기술번호 : KST2022017931
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법 및 이를 통해 제조된 다공성 실리콘계 전극 활물질을 개시한다. 본 발명은 비정질 실리카(a-SiO2) 및 금속 실리사이드 분말을 혼합하는 단계; 상기 비정질 실리카 및 금속 실리사이드 분말의 혼합물을 열처리하여, 상기 비정질 실리카를 실리콘으로 환원하는 동시에 상기 금속 실리사이드를 제1 금속 산화물로 산화시키는 단계; 및 상기 제1 금속 산화물을 식각액으로 제거하여 다공성 실리콘을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C01B 33/18 (2006.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C01B 33/06 (2006.01.01)
CPC C01B 33/18(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/62(2013.01) H01M 10/052(2013.01) C01B 33/06(2013.01) C01P 2002/02(2013.01) C01P 2004/64(2013.01) C01P 2004/84(2013.01) C01P 2006/12(2013.01) C01P 2006/14(2013.01)
출원번호/일자 1020210032188 (2021.03.11)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0127633 (2022.09.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.03.11)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재헌 서울특별시 강남구
2 양영모 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2021-0289842-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
비정질 실리카(a-SiO2) 및 금속 실리사이드 분말을 혼합하는 단계;상기 비정질 실리카 및 금속 실리사이드 분말의 혼합물을 열처리하여, 상기 비정질 실리카를 실리콘으로 환원하는 동시에 상기 금속 실리사이드를 제1 금속 산화물로 산화시키는 단계; 및상기 제1 금속 산화물을 식각액으로 제거하여 다공성 실리콘을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 실리사이드는 마그네슘 실리사이드(Mg2Si), 구리 실리사이드(Cu5Si), 바나듐 실리사이드(V3Si), 망간 실리사이드(Mn3Si), 철 실리사이드(Fe3Si), 주석 실리사이드(Sn2Si) 및 칼슘 실리사이드(Ca2Si) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 비정질 실리카 및 상기 금속 실리사이드의 몰비는 1:1인 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 열처리는 750℃ 내지 850℃의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 열처리는 2 ℃/min 내지 20 ℃/min의 속도로 진행되는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 비정질 실리카의 크기는 10nm 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 식각액은 염산, 인산, 불산, 황산, 질산, 아세트산, 암모니아수 및 과산화수소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 비정질 실리카 및 금속 실리사이드 분말의 혼합물을 열처리하여, 상기 비정질 실리카를 실리콘(Si)으로 환원하는 동시에 상기 금속 실리사이드 분말을 제1 금속 산화물로 산화시키는 단계를 진행한 다음,상기 실리콘 및 상기 제1 금속 산화물을 포함하는 중간체가 분산된 알코올계 용매에 제2 금속 산화물 전구체를 투입하여 졸겔 방법으로 상기 중간체 표면에 제2 금속 산화물 코팅층을 형성하는 단계를 진행하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 금속 실리사이드는 마그네슘 실리사이드(Mg2Si), 구리 실리사이드(Cu5Si), 바나듐 실리사이드(V3Si), 망간 실리사이드(Mn3Si), 철 실리사이드(Fe3Si), 주석 실리사이드(Sn2Si) 및 칼슘 실리사이드(Ca2Si) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 제2 금속 산화물 전구체는 타이타늄 이소프로폭사이드(Titanium isopropoxide) 및 티타늄 부톡사이드(Titanium(Ⅳ) butoxide) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 제2 금속 산화물 코팅층은 티타늄 산화물(a-TiO2), 실리콘 산화물(SiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 지르코늄 산화물(ZrO2), 리튬 티타늄 산화물(Li4Ti5O12), 아연 산화물(ZnO), 망간 산화물(MnO2), 몰리브덴 산화물(MoO2, MoO3), 니오븀 산화물(Nb2O5) 및 바나듐 산화물(V2O5) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법
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제1항에 따른 다공성 실리콘계 전극 활물질의 제조방법을 통하여 제조된 다공성 실리콘계 전극 활물질은 다공성 실리콘을 포함하고,상기 다공성 실리콘의 비표면적은 15 cm2g-1 내지 50 cm2g-1인 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질
13 13
제12항에 있어서, 상기 다공성 실리콘의 기공의 부피는 0
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제12항에 있어서, 상기 다공성 실리콘은 표면에 제2 금속 산화물 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질
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제14항에 있어서, 상기 제2 금속 산화물 코팅층은 티타늄 산화물(a-TiO2), 실리콘 산화물(SiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 지르코늄 산화물(ZrO2), 리튬 티타늄 산화물(Li4Ti5O12), 아연 산화물(ZnO), 망간 산화물(MnO2), 몰리브덴 산화물(MoO2, MoO3), 니오븀 산화물(Nb2O5) 및 바나듐 산화물(V2O5) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘계 전극 활물질
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제12항에 따른 다공성 실리콘계 전극 활물질을 포함하는 음극, 전해질 및 양극을 포함하는 리튬 이차 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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