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브라켓의 지르코니아 박막을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2022017967
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 브라켓의 지르코니아 박막을 형성하는 방법은 챔버 내에 기판을 배치하는 단계, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판의 표면에 대한 전처리를 수행하는 단계 및 플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)에 의하여 상기 기판의 표면에 지르코니아 박막을 증착하는 단계를 포함한다.
Int. CL A61C 13/02 (2006.01.01) A61C 7/14 (2006.01.01) C08J 7/06 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC A61C 13/02(2013.01) A61C 7/14(2013.01) C08J 7/06(2013.01) C23C 16/405(2013.01) C23C 16/45536(2013.01) C23C 16/45553(2013.01) C08J 2369/00(2013.01)
출원번호/일자 1020210018627 (2021.02.09)
출원인 서울과학기술대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0114962 (2022.08.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.02.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울과학기술대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안지환 서울특별시 성동구
2 김성민 경상남도 통영시
3 김현수 서울특별시 노원구
4 강동훈 경상남도 밀양시 삼
5 김승현 서울특별시 노원구
6 오정윤 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2021-0167713-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.12.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2022.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0120457-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0533259-63
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2022-0982657-94
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0982666-05
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번호 청구항
1 1
브라켓의 지르코니아 박막을 형성하는 방법에 있어서,챔버 내에 기판을 배치하는 단계;산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판의 표면에 대한 전처리를 수행하는 단계; 및플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)에 의하여 상기 기판의 표면에 지르코니아 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것인, 박막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 지르코니아 박막을 증착하는 단계는상기 챔버 내로 금속 전구체를 도입하는 단계;비반응성 기체에 의해 퍼지하는 단계; 및상기 챔버 내로 반응체를 도입하는 단계를 포함하는 것인, 박막 형성 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 기판은 폴리카보네이트(Polycarbonate) 기판이고,상기 금속 전구체는 테트라키스 에틸메틸아미노 지르코늄(TEMAZ)이고,상기 반응체는 산소 플라즈마인 것인, 박막 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 지르코니아 박막을 증착하는 단계는 상기 챔버 내의 온도를 100℃ 이하로 유지하는 것인, 박막 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 지르코니아 박막을 50 nm 이하의 두께로 형성하는 것인, 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 서울과학기술대학교 산학협력단 나노융합산업핵심기술개발(R＆D) 고성능 대면적 전자소자 제작을 위한 2차원 소재 선택적 복합 표면 활성화 기술과 플라즈마 원자층 박막 증착 공정 기술 개발
2 산업통상자원부 한국공작기계산업협회 산업혁신인재성장지원(R＆D) 고신뢰성기계부품설계전문인력양성