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기판 상에 금속산화물의 졸-겔 전구체를 포함하는 용액의 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 코팅층에 전자빔 어닐링(EBA)을 수행하여 금속산화물층을 얻는 단계를 포함하고,상기 전자빔 어닐링 시의 상기 코팅층의 온도는 50℃ 내지 250℃이고,상기 금속산화물층은 X선 회절(XRD) 패턴에서 결정 피크를 나타내지 않고,하기 식으로 정의되는 △C (at%)의 값이 1
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제 1 항에 있어서,상기 전자빔 어닐링은플라즈마 밀도 조절을 위한 RF 전력 100 W 내지 500 W, 및전자빔 가속을 위한 DC 전압 100 V 내지 1500 V의 조건에서 수행하는, 금속산화물 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 전자빔 어닐링은 1분 내지 10분간 수행하는, 금속산화물 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 전자빔 어닐링은플라즈마 밀도 조절을 위한 RF 전력 150 W 내지 300 W, 및전자빔 가속을 위한 DC 전압 100 V 내지 750 V의 조건에서, 2분 내지 5분간 수행하는, 금속산화물 소자의 제조방법
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삭제
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 전자빔 어닐링의 수행 이전에,상기 코팅층을 120℃ 내지 160℃의 온도에서 5분 내지 30분간 열처리하는 단계를 추가로 포함하는, 금속산화물 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물이 ZnO, TiO2, SnO2, La-도핑된 BaSnO3, SiO2, ZrO2, Al2O3 및 WO3로 이루어진 군에서 선택되는, 금속산화물 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판이 투명한 기재; 및 상기 기재 상에 형성된 전극층을 포함하는, 금속산화물 소자의 제조방법
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제 1 항의 방법에 의해 제조되고,기판 및 상기 기판 상에 형성된 금속산화물층을 포함하고,상기 금속산화물층은 X선 회절(XRD) 패턴에서 결정 피크를 나타내지 않는, 금속산화물 소자
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제 10 항에 있어서,상기 금속산화물층이 산화아연(ZnO)을 포함하는, 금속산화물 소자
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제 12 항에 있어서,상기 금속산화물층 내의 아연(Zn) 및 산소(O)의 원자 몰비가 1:1 내지 3
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제 12 항에 있어서,상기 금속산화물층의 탄소 함량이 7
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제 12 항에 있어서,상기 금속산화물층의 밀도가 3
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제 12 항에 있어서,상기 금속산화물층은 X선 광전자 분광법(XPS)에 의해 얻은 O1s 스펙트럼에서 하기 식으로 계산되는 V 값이 45% 이상인, 금속산화물 소자:여기서 Vo는 산소 공석 내의 산소의 피크 면적이고, Zn-O는 Zn과 결합된 산소의 피크 면적이다
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제 10 항의 금속산화물 소자; 및상기 금속산화물 소자의 금속산화물층 상에 배치되는 광활성층을 포함하는, 광전 소자
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제 10 항의 금속산화물 소자; 및상기 금속산화물 소자의 금속산화물층 상에 배치되는 유기 광활성층을 포함하는, 유기태양전지
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제 18 항에 있어서,상기 유기태양전지는에어매스(AM) 1
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제 18 항에 있어서,상기 유기태양전지는SCLC(space charge limited current)를 통해 측정한 전자이동도(electron mobility)가 5 x 10-4 cm2/V·s 이상인, 유기태양전지
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