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Ti3C2Tx의 화학식으로 표현되는 맥신(Mxene) 및 NiCo2Se4를 포함하고,상기 T는 O, OH, F, Cl, Br 및 I 중 적어도 하나로 선택되고,상기 x는 양의 정수인슈퍼커패시터용 전극 물질
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제1 항에 있어서,상기 맥신은 다수의 층을 포함하는 아코디언 형상을 가지는슈퍼커패시터용 전극 물질
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제2 항에 있어서, 상기 NiCo2Se4는 상기 Ti3C2Tx의 상기 다수의 층 중 적어도 두 층 사이에 위치하는 슈퍼커패시터용 전극 물질
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제3 항에 있어서, 상기 Ti3C2Tx의 층간 간격은 상기 NiCo2Se4에 의해 조절되는 슈퍼커패시터용 전극 물질
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제3 항에 있어서,상기 Ti3C2Tx의 층간 간격은 상기 Ti3C2Tx의 하나의 층의 두께보다 작고,상기 Ti3C2Tx의 층간 간격은 상기 NiCo2Se4의 두께와 대응되는슈퍼커패시터용 전극 물질
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제5 항에 있어서,상기 Ti3C2Tx의 층간 간격은 0
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금속 기재;상기 금속 기재 상에 형성된 맥신(Mxene) 및 NiCo2Se4의 복합체를 포함하는슈퍼커패시터용 전극
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제7 항에 있어서, 상기 맥신은 다수의 층을 포함하는 아코디언 형상을 가지는슈퍼커패시터용 전극
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Ti3AlC2의 화학식으로 표시되는 맥스상(MAX phase)을 준비하는 단계;상기 Ti3AlC2을 산성물질과 반응시켜 Al를 선택적으로 에칭함으로써 Ti3C2Tx의 맥신(Mxene)을 제조하는 단계;수용액에 분산된 Ti3C2Tx을 금속 기재상에 적층하는 단계;상기 금속 기재에 적층된 Ti3C2Tx 상에 Ni-Co 층상 이중 수산화물(LDH, layered double hydroxide)를 형성하는 단계;상기 Ni-Co LDH의 셀레늄화(Selenylation)를 통해 Ti3C2Tx 및 NiCo2Se4 복합체 전극을 형성하는 단계;상기 Ti3C2Tx 및 NiCo2Se4 복합체 전극을 어닐링 하는 단계를 포함하는슈퍼 커패시터용 전극의 제조 방법
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제9 항에 있어서, 상기 Ni-Co LDH(layered double hydroxide)는 Ni(NO3)2·6H2O 및 Co(NO3)3·9H2O 용액상에서 순환전압전류법(CV)을 통해 형성되는슈퍼 커패시터용 전극의 제조 방법
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제9 항에 있어서, 상기 셀레늄화는튜브 퍼니스(tube furnace)에서 350 ° C에서 2 ° C/min의 가열 속도로 N2 분위기 하에서 2 시간 동안 수행되는 슈퍼커패시터용 전극의 제조 방법
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