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투명 전도성 물질을 포함하는 하부 전극;전기변색(electrochromic) 물질을 포함하는 애노드(anode);전해질을 포함하는 캐소드(cathode); 및상기 투명 전도성 물질을 포함하는 상부 전극;를 포함하며,상기 애노드에 인가되는 전압에 따라 상기 애노드의 내부로 이온(ion)이 삽입(intercalation)되는 양이 변화되고, 상기 애노드에 삽입되는 상기 이온의 양에 따라 상기 애노드의 투과도가 변화되며, 상기 애노드의 투과도 변화에 따라 상기 애노드를 통과하는 빛의 강도(intensity)가 조절되어 간섭 패턴(interference pattern)이 변화되는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기
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제1항에서,상기 전기변색 물질은,산화 텅스텐(tungsten oxide)을 포함하는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기
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제1항에서,상기 이온은,리튬 이온(lithium ion) 또는 양성자(proton)를 포함하는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기
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제1항에서,상기 애노드에 삽입되는 상기 이온의 양이 증가할수록 상기 애노드의 투과도는 낮아지고, 상기 애노드에 삽입되는 상기 이온의 양이 감소할수록 상기 애노드의 투과도는 높아지는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기
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제1항에서,상기 애노드에 인가되는 전압은,제어 모듈을 통해 변화되는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기
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제5항에서,상기 제어 모듈은,상기 공간 광 변조기가 복수개의 셀(cell)을 포함하는 경우, 상기 애노드에 인가되는 전압을 셀 별로 제어하는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기
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제1항에서,상기 전해질은,LiPON(lithium phosphorus oxynitride)을 포함하는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기
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제1항에서,상기 투명 전도성 물질은,인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)을 포함하는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기
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공간 광 변조기를 제조하는 방법으로서,투명 전도성 물질을 포함하는 하부 전극을 글래스 기판(glass substrate) 위에 형성하는 단계;전기변색(electrochromic) 물질을 포함하는 애노드(anode)를 상기 하부 전극 위에 형성하는 단계;전해질을 포함하는 캐소드(cathode)를 상기 애노드 위에 형성하는 단계; 및상기 투명 전도성 물질을 포함하는 상부 전극을 상기 캐소드 위에 형성하는 단계;를 포함하며,상기 공간 광 변조기는,상기 애노드에 인가되는 전압에 따라 상기 애노드의 내부로 이온(ion)이 삽입(intercalation)되는 양이 변화되고, 상기 애노드에 삽입되는 상기 이온의 양에 따라 상기 애노드의 투과도가 변화되며, 상기 애노드의 투과도 변화에 따라 상기 애노드를 통과하는 빛의 강도(intensity)가 조절되어 간섭 패턴(interference pattern)이 변화되는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기의 제조 방법
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제9항에서,상기 전기변색 물질은,산화 텅스텐(tungsten oxide)을 포함하는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기의 제조 방법
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제9항에서,상기 이온은,리튬 이온(lithium ion) 또는 양성자(proton)를 포함하는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기의 제조 방법
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제9항에서,상기 공간 광 변조기는,상기 애노드에 삽입되는 상기 이온의 양이 증가할수록 상기 애노드의 투과도가 낮아지고, 상기 애노드에 삽입되는 상기 이온의 양이 감소할수록 상기 애노드의 투과도가 높아지는,홀로그램 구현을 위한 투과도 단계 조절형 공간 광 변조기의 제조 방법
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