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기판 상에 제1 서브 사이클을 이용하여 티타늄 산화물막을 형성하는 단계; 상기 티타늄 산화물막 상에 제2 서브 사이클을 이용하여 아연 산화물막을 형성하는 단계;상기 제1 서브 사이클 및 상기 제2 서브 사이클을 포함하는 증착 사이클을 복수회 반복 진행하여 티타늄 산화물막/아연 산화물막 적층 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 티타늄 산화물막/아연 산화물막 적층 구조물을 열처리하여 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 티타늄 산화물막/아연 산화물막 적층 구조물을 열처리하여 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막을 형성하는 단계는,상기 티타늄 산화물막/아연 산화물막 적층 구조물에 포함된 티타늄 원소 및 아연 원소를 확산 및 재분포시키는 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 서브 사이클은,상기 기판 상에 티타늄 전구체를 노출시키는 단계;상기 티타늄 전구체를 챔버로부터 퍼지(purge)시키는 단계;상기 기판 상에 반응 가스를 노출시키는 단계; 및상기 반응 가스를 상기 챔버로부터 퍼지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 티타늄 전구체는 티타늄 테트라 이소프로폭시드(TTIP)를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 반응 가스는 H2O를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 서브 사이클은,상기 기판 상에 아연 전구체를 노출시키는 단계;상기 아연 전구체를 챔버로부터 퍼지시키는 단계;상기 기판 상에 반응 가스를 노출시키는 단계; 및상기 반응 가스를 상기 챔버로부터 퍼지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 아연 전구체는 다이에틸징크(DEZn)를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 증착 사이클은 150회 내지 300회 진행하는 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 티타늄 산화물막 또는 아연 산화물막의 두께는 10 Å 내지 50 Å 인 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 두께는 50nm 내지 70nm인 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 티타늄 산화물막/아연 산화물막 적층 구조물을 열처리하여 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막을 형성하는 단계는,150℃ 내지 260℃의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 소다석회유리(soda lime glass, SLG), 규소(Si, silicon), 금속 산화물(SiO2, silicon oxide), 산화알루미늄(Al2O3, aluminium oxide), 산화마그네슘(MgO, magnesium oxide), 탄화규소(SiC, silicon carbide), 질화규소(SiN, silicon nitride), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 그래파이트(graphite), 그래핀(g raphene), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에스테르(PE, polyester) 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, poly(2,6-ethylenenaphthalate)), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate), 폴리우레탄(PU, polyurethane), 플루오르폴리머(FEP, fluoropolymers) 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법
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제1항에 따른 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 아연티타늄 산화물 ZnxTiyO) 복합막
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기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 및상기 윈도우층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 윈도우층은 제1항에 따른 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법
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