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센싱 영역을 포함한 기판인 압전 기판; 및상기 압전 기판의 일면에 구비된 제 1 내지 n 전극 모듈;을 포함하고,상기 제 1 내지 n 전극 모듈 각각은, 상기 센싱 영역을 중심으로 서로 대향되고, 간극이 동일한 빗살형 전극 쌍인 제 1 및 2 빗살 전극를 포함하며,상기 압전 기판은, 상기 제 1 내지 n 전극 모듈에 의해 가진되어 표면 탄성파를 생성하도록 압전 소재이고,n003e#1인 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 내지 n 전극 모듈이 다중 공진 주파수를 가진 표면 탄성파를 생성하도록, 상기 제 1 내지 n 전극 모듈 중 어느 하나인 제 i 전극 모듈의 제 1 및 2 빗살 전극의 간극이, 상기 제 1 내지 n 전극 모듈 중 다른 어느 하나인 제 j 전극 모듈의 제 1 및 2 빗살 전극의 간극에 비해서 더 크거나 작으며, n003e#1, n≥i≥1, n≥j≥1, 및 i≠j인 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 내지 n 전극 모듈은, 상기 센싱 영역을 중심으로 방사형으로 배치된 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 내지 n 전극 모듈 각각은, 각각 제 1 및 2 반사부;를 포함하고,상기 제 1 및 2 반사부는, 상기 센싱 영역을 중심으로 후방에 근접 배치되며, 상기 제 1 및 2 빗살 전극에서 여진된 표면 탄성파의 진행 방향과 평행한 방향으로 상기 표면 탄성파를 반사시키며, 복수의 회절격자로 이루어진 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 장치
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제 1 항에 있어서,상기 압전 기판의 일면에 구비되며, 계측 대상물을 가열하는 열선을 포함한 적어도 하나의 가열 수단;을 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 장치
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제 5 항에 있어서,상기 가열 수단은, 지그재그 형태로 반복 형성되어 발열하는 적어도 하나의 열선으로 이루어진 적어도 하나의 히터 모듈;을 포함하는 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 장치
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7
제 6 항에 있어서,상기 히터 모듈은,지그재그 형태의 폭이 상기 센싱 영역에서 멀어질수록 증가하는 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 장치
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8
제 6 항에 있어서, 상기 히터 모듈은,적어도 하나의 서미스터 소자를 포함하는 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 장치
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제 1 항에 있어서,상기 압전 기판의 일면 및 타면 중 적어도 하나에 구비되며, 계측 대상물을 냉각하는 열전소자를 포함한 적어도 하나의 냉각 수단;을 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 장치
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센싱 영역을 포함하고, 압전 소재로 구성된 기판인 압전 기판; 상기 압전 기판의 일면에 구비된 제 1 내지 n 전극 모듈; 상기 제 1 내지 n 전극 모듈 중 적어도 하나에 전원을 공급하는 전원 공급 모듈; 및상기 제 1 내지 n 전극 모듈 중 적어도 하나로부터 신호를 수신하여 상기 센싱 영역에 구비된 계측 대상물의 물성을 산출하는 신호 처리 모듈;상기 제 1 내지 n 전극 모듈 각각은 상기 센싱 영역을 중심으로 서로 대향되고, 간극이 동일한 빗살형 전극 쌍인 제 1 및 2 빗살 전극를 포함하며,상기 제 1 내지 n 전극 모듈 중 어느 하나인 제 i 전극 모듈의 제 1 및 2 빗살 전극의 간극이, 상기 제 1 내지 n 전극 모듈 중 다른 어느 하나인 제 j 전극 모듈의 제 1 및 2 빗살 전극의 간극에 비해서 더 크거나 작으며, n003e#1, n≥i≥1, n≥j≥1, 및 i≠j이고,상기 압전 기판은, 상기 제 1 내지 n 전극 모듈에 의해 가진되어 다중 공진 주파수를 가진 표면 탄성파를 생성하는 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 시스템
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제 10 항에 있어서,상기 전원 공급 모듈은, 각각의 상기 제 1 및 2 빗살 전극 및 상기 신호 처리 모듈 중 적어도 하나에 연결되어 직류 또는 교류 전압을 인가하는 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 시스템
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제 10 항에 있어서,상기 압전 기판의 일면에 구비되며, 계측 대상물을 가열하는 열선을 포함한 적어도 하나의 가열 수단;을 더 포함하고,상기 전원 공급 모듈은, 상기 가열 수단에 전원을 공급하는 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 시스템
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제 12 항에 있어서,상기 신호 처리 모듈은,상기 가열 수단의 온도를 직접 가변하거나, 상기 전원 공급 모듈이 상기 가열 수단에 공급하는 전원을 제어하여 상기 가열 수단의 온도를 간접적으로 가변하고, 가변된 온도에 따른 계측 대상물의 물성을 산출하는 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 시스템
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제 13 항에 있어서, 상기 신호 처리 모듈은, 상기 제 1 내지 n 전극 모듈 중 적어도 하나로부터 수신된 신호에 기초하여 상기 압전 기판이 생성한 표면 탄성파의 주파수를 측정하고,상기 가열 수단의 온도를 직접 또는 간접적으로 제어하여 상기 표면 탄성파의 주파수를 제어하는 것 을 특징으로 하는 입자 물질 계측 시스템
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신호 처리 모듈이,(a) 가열 수단이 소정의 온도가 되도록 상기 가열 수단과 연결된 전원 공급 모듈을 제어하는 단계;(b) 상기 제 1 내지 n 전극 모듈 중 적어도 어느 하나에 전원이 인가되도록 상기 전원 공급 모듈을 제어하는 단계;(c) 상기 제 1 내지 n 전극 모듈 중 적어도 어느 하나로부터 센싱 신호를 수신하는 단계; 및(d) 상기 센싱 신호에 기초하여 센싱 영역에 구비된 계측 대상물의 물성을 산출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 물질 계측 방법
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제 15 항에 있어서,상기 단계 (b) 및 (c) 사이에,(e) 상기 제 1 내지 n 전극 모듈에 의해 가진된 압전 기판이 생성한 다중 공진 주파수를 가진 표면 탄성파의 주파수를 측정하는 단계; 및(f) 상기 표면 탄성파의 주파수를 가변하도록 가열 수단을 제어하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 물질 계측 방법
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제 16 항에 있어서,상기 단계 (f)는, 상기 단계 (e)에서 측정한 상기 표면 탄성파의 주파수가 지령 주파수보다 낮으면 상기 가열 수단의 온도를 증가하도록 제어하고,상기 표면 탄성파의 주파수가 지령 주파수보다 높으면 상기 가열 수단의 온도를 감소하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 입자 물질 계측 방법
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