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게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치되는 절연층;상기 절연층 상에 배치되고 홀을 포함하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되는 채널층;상기 채널층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극은 2차원 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 2차원 물질은 그래핀(Graphene), 흑린 (Black phosphorous), rGO (reduced graphene oxide), B3H, B3F, B3Cl, 보로핀(Borophene), 전이금속디칼코지나이드(Transition Metal DiChalcogenides, TMDC), 실리센(Silicene), 게르마넨(Germanene), 스태닌(Stanene), 육방질화붕소(Hexagonal Boron Nitride, h-BN), 및 포스포린(Phosphorene)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 전이금속디칼코지나이드는 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WTe2, CuS, 및 WSe2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 홀의 직경은 1 nm 내지 50 um인 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 홀의 면적율은 60 % 이하인 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 홀은 원, 삼각형, 사각형, 육각형 및 다각형 중 적어도 어느 하나의 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 홀은 사각 배열, 삼각 배열 및 랜덤한 배열 중 적어도 어느 하나의 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 홀은 둘레 부분인 에지 영역 및 중심 부분의 유효 영역을 포함하고,상기 에지 영역은 상기 게이트 전극 및 제1 전극의 영향을 받고,상기 유효 영역은 게이트 전극의 영향을 받는 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 제2 전극의 하부에 배치되고, 상기 제1 전극과 대응되는 위치에 배치되는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 도핑되는 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 절연층은 강유전체 (ferroelectric) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 채널층은 2차원 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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13
제1항에 있어서,상기 게이트 전극 및 상기 제2 전극은 투명 전극인 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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제13항에 있어서,상기 채널층은 발광 채널층인 것을 특징으로 하는 수직 박막 트랜지스터
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